CVD SiC Fin

Ponieważ urządzenia półprzewodnikowe stale ewoluują w kierunku mniejszych geometrii i wyższych poziomów integracji, sprzęt procesowy musi działać w coraz bardziej wymagających warunkach. Trawienie plazmowe, zaawansowane osadzanie i środowiska produkcyjne w wysokiej temperaturze narażają elementy komory na ekstremalne naprężenia termiczne, agresywne gazy reaktywne i bombardowanie jonami o wysokiej energii.

Aby sprostać tym wyzwaniom, Semicorex oferuje CVD SiC Fin, stały komponent z węglika krzemu o dużej gęstości, wytwarzany przy użyciu zaawansowanej technologii chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD). W przeciwieństwie do konwencjonalnych cienkowarstwowych powłok SiC, które zwykle mierzą zaledwie kilkadziesiąt lub setki mikronów, CVD SiC Fin to znacznie grubsza, w pełni gęsta struktura z węglika krzemu o grubości w zakresie od 500 μm do 10 000 μm.

Ta unikalna konstrukcja zapewnia wyjątkową trwałość, dłuższą żywotność i wyjątkową wydajność w niektórych z najbardziej wymagających środowisk przetwarzania półprzewodników.

Co wyróżnia płetwę CVD SiC?

Ochrona wielu elementów półprzewodnikowych opiera się na graficie pokrytym SiC lub cienkowarstwowych powłokach SiC. Chociaż rozwiązania te sprawdzają się dobrze w umiarkowanych warunkach procesowych, duże narażenie na plazmę i wydłużone cykle operacyjne często wymagają bardziej wytrzymałego systemu materiałów.

CVD SiC Fin jest produkowany jako gruby korpus z węglika krzemu o wysokiej czystości, a nie jako zwykła powłoka powierzchniowa. Powstała struktura zapewnia:

Wyraźnie większa grubość materiału

Wyższa integralność strukturalna

Doskonała odporność na erozję plazmową

Dłuższy czas eksploatacji

Poprawiona stabilność wymiarowa

Zmniejszone ryzyko zanieczyszczenia

Złożoność produkcyjna grubościKomponenty CVD SiCjest znacznie wyższa niż w przypadku standardowych produktów cienkowarstwowych, szczególnie w przypadku wytwarzania skomplikowanych geometrii i precyzyjnych elementów.

Gęsta struktura SiC o wysokiej czystości

W procesie osadzania CVD powstaje wyjątkowo gęsty i jednolity materiał węglika krzemu o minimalnej porowatości i wyjątkowej czystości.

Kluczowe cechy materiału obejmują:

• Skład SiC o ultrawysokiej czystości
• Wysoka gęstość i niska porowatość
• Doskonała obojętność chemiczna
• Wyjątkowa stabilność termiczna
• Doskonała odporność na korozję
• Wyjątkowo niskie wytwarzanie cząstek

Właściwości te mają kluczowe znaczenie w środowiskach produkcji półprzewodników, w których zanieczyszczenie procesu może bezpośrednio wpływać na wydajność urządzenia i wydajność produkcji.

Wyjątkowa wydajność w środowiskach plazmowych

Nowoczesne procesy trawienia generują wysoce reaktywne formy plazmy, które z czasem mogą atakować konwencjonalne materiały. Komponenty wystawione na działanie plazmy muszą wytrzymać ciągłe bombardowanie, zachowując jednocześnie dokładność wymiarową i integralność powierzchni.

CVD SiCFin zapewnia wyjątkową odporność na:

Chemia plazmy na bazie fluoru

Środowiska trawienia na bazie chloru

Bombardowanie jonowe

Korozja chemiczna

Cykl termiczny

Jego gęsta mikrostruktura znacznie zmniejsza degradację materiału i pomaga utrzymać stabilne warunki procesu podczas długich serii produkcyjnych.

To sprawia, że ​​materiał ten jest szczególnie cenny w zaawansowanej produkcji układów scalonych, gdzie powtarzalność procesu i czas sprawności sprzętu mają kluczowe znaczenie.

Zaprojektowane do zastosowań w bardzo wysokich temperaturach

Oprócz odporności na plazmę, CVD SiC Fin działa wyjątkowo dobrze w ekstremalnych warunkach termicznych.

Węglik krzemu znany jest ze swojej zdolności do utrzymywania wytrzymałości mechanicznej i stabilności wymiarowej w temperaturach, które stanowiłyby wyzwanie dla wielu konwencjonalnych materiałów konstrukcyjnych.

Zalety obejmują:

• Doskonała odporność na szok termiczny
• Niska rozszerzalność cieplna
• Stabilność mechaniczna w wysokiej temperaturze
• Odporność na odkształcenia termiczne
• Długoterminowa niezawodność w trudnych warunkach

Semicorex posiada wiedzę techniczną wymaganą do produkcji komponentów CVD SiC w szerokim zakresie geometrii, w tym:

• Płetwy
• Pierścionki
  
• Tarcze
• Komponenty ostrości
• Elementy dystrybucji gazu
• Wkładki komorowe
• Niestandardowe części pokryte plazmą

Zastosowania w produkcji półprzewodników

Komponenty CVD SiC Fin są szeroko stosowane w sprzęcie do produkcji półprzewodników, szczególnie w obszarach narażonych na agresywne warunki procesowe.

Typowe zastosowania obejmują:

Systemy trawienia plazmowego

Komory suchego trawienia

Sprzęt do osadzania półprzewodników

Produkcja zaawansowanych urządzeń logicznych

Produkcja urządzeń pamięci

Obróbka półprzewodników mocy

Produkcja półprzewodników złożonych