2024-05-20
1. Różne procesy produkcyjneŁódź SiC
(1) Pokrycie warstwąFilm SiCna powierzchni grafitukryształowe łodziepoprzez CVD
Łódź tego typu ma rdzeń grafitowy, który jest obrabiany maszynowo w jednym kawałku. Jednakże,grafit jest porowatyi podatne na wytwarzanie cząstek, co wymaga zastosowania aPowłoka z folii SiCna jego powierzchni. Ze względu na niedopasowanie współczynnika rozszerzalności cieplnej (CTE) pomiędzy korpusem grafitowym aFilm SiCpowłoka prawdopodobnie odklei się po wielokrotnych cyklach ogrzewania i chłodzenia, co doprowadzi do zanieczyszczenia cząstkami. Łodzie te są najtańsze i mają żywotność około jednego roku.
(2) Pokrycie warstwąFilm SiCna rekrystalizowanymŁódki kryształowe SiC
RekrystalizowanyŁodzie SiCsą również porowate i mogą łatwo wytwarzać cząstki. Dlatego poszczególne składniki ulegają rekrystalizacjiŁodzie SiCmuszą być wstępnie uformowane, spiekane, a następnie oddzielnie obrobione. Następnie elementy są łączone ze sobą w wysokich temperaturach za pomocą pasty Si. Po złożeniu w jedną łódź, aFilm SiCjest stosowany poprzez CVD. To uległo rekrystalizacjiŁódź SiCma najdłuższy proces produkcyjny i jest kosztowny, ale powierzchniaPowłoka CVDmogą również zostać uszkodzone, a ich żywotność wynosi około trzech lat.
(3)MonolitycznyŁódki kryształowe SiC
Tełodziesą w całości wykonane z materiału SiC. Proszek SiC należy uformować i spiekać w kształt monolitycznej łodzi. Są niezwykle kosztowne, są bardzo trwałe i rzadziej wytwarzają cząstki. Jednakże łodzie te zawierają 10–15% wolnego krzemu, który jest podatny na erozję pod wpływem fluoru i chloru, co prowadzi do zanieczyszczenia cząstkami stałymi.
2. Dlaczego nie zaleca się czyszczenia na sucho?
Podsumowując, zaŁodzie SiCpokryty AFolia SiC poprzez CVDpowłoka powierzchniowa jest podatna na łuszczenie się podczas czyszczenia na sucho, co powoduje zanieczyszczenie cząstkami stałymi. Do monolituŁodzie SiCktóre zawierają niewielką ilość wolnego krzemu, narażenie na gazy zawierające fluor lub chlor może prowadzić do erozji i wytwarzania cząstek, powodując w ten sposób zanieczyszczenie.**