Cienki kawałek materiału półprzewodnikowego nazywany jest płytką i składa się z bardzo czystego materiału monokrystalicznego. W procesie Czochralskiego cylindryczny wlewek monokrystalicznego półprzewodnika o wysokiej czystości powstaje poprzez wyciągnięcie kryształu zaszczepiającego ze stopu.
Węglik krzemu (SiC) i jego politypy są od dawna częścią cywilizacji ludzkiej; techniczne zainteresowanie tym twardym i stabilnym związkiem zostało zrealizowane w latach 1885 i 1892 przez Cowlessa i Achesona do celów szlifowania i cięcia, co doprowadziło do jego produkcji na dużą skalę.
Doskonałe właściwości fizyczne i chemiczne sprawiają, że węglik krzemu (SiC) jest głównym kandydatem do różnych zastosowań, w tym w urządzeniach wysokotemperaturowych, o dużej mocy i wysokiej częstotliwości oraz optoelektronicznych, jako składnik konstrukcyjny reaktorów termojądrowych, materiał okładzinowy do urządzeń chłodzonych gazem reaktory rozszczepialne i obojętna matryca do transmutacji Pu. Szeroko stosowane są różne politypy SiC, takie jak 3C, 6H i 4H. Implantacja jonowa jest kluczową techniką selektywnego wprowadzania domieszek do produkcji urządzeń na bazie Si w celu wytworzenia płytek SiC typu p i n.
Wlewekjest następnie cięty w plastry w celu utworzenia płytek SiC z węglika krzemu.
Właściwości materiału węglika krzemu
Polityp |
Monokryształ 4H |
Struktura krystaliczna |
Sześciokątny |
Przedział pasma |
3,23 eV |
Przewodność cieplna (typ n; 0,020 om-cm) |
a~4,2 W/cm • K przy 298 K c~3,7 W/cm • K przy 298 K |
Przewodność cieplna (HPSI) |
a~4,9 W/cm • K przy 298 K ok. 3,9 W/cm • K przy 298 K |
Parametry sieci |
a=3,076 Å c=10,053 Å |
Twardość Mohsa |
~9.2 |
Gęstość |
3,21 g/cm23 |
Therm. Współczynnik rozszerzalności |
4-5x10-6/K |
Różne typy płytek SiC
Istnieją trzy typy:Płytka sic typu n, wafel typu pIpółizolacyjny wafel o wysokiej czystości. Doping odnosi się do implantacji jonów, która wprowadza zanieczyszczenia do kryształu krzemu. Domieszki te pozwalają atomom kryształu tworzyć wiązania jonowe, czyniąc kryształ niegdyś wewnętrznym, zewnętrznym. W procesie tym wprowadzane są dwa rodzaje zanieczyszczeń; Typ N i typ P. „Typ”, jaki się stanie, zależy od materiałów użytych do wywołania reakcji chemicznej. Różnica między płytkami SiC typu N i P jest głównym materiałem używanym do wywołania reakcji chemicznej podczas domieszkowania. W zależności od użytego materiału, zewnętrzny orbital będzie miał pięć lub trzy elektrony, co daje jeden naładowany ujemnie (typ N) i jeden dodatnio (typ P).
Płytki SiC typu N są stosowane głównie w nowych pojazdach energetycznych, przesyłach i podstacjach wysokiego napięcia, sprzęcie AGD, pociągach dużych prędkości, silnikach, falownikach fotowoltaicznych, zasilaczach impulsowych itp. Mają zalety polegające na zmniejszaniu strat energii w sprzęcie, poprawianiu niezawodność sprzętu, zmniejszając rozmiar sprzętu i poprawiając jego wydajność, a także mają niezastąpione zalety w wytwarzaniu urządzeń energoelektronicznych.
Półizolacyjny wafel SiC o wysokiej czystości stosowany jest głównie jako podłoże urządzeń RF dużej mocy.
Epitaksja - osadzanie azotków III-V
Warstwy epitaksjalne SiC, GaN, AlxGa1-xN i InyGa1-yN na podłożu SiC lub podłożu szafirowym.
Podłoże waflowe Semicorex 3C-SiC jest wykonane z SiC z kryształem sześciennym. Od wielu lat jesteśmy producentem i dostawcą płytek półprzewodnikowych. Cieszymy się, że możemy zostać Twoim długoterminowym partnerem w Chinach.
Czytaj więcejWyślij zapytanieSemicorex oferuje różne rodzaje płytek 4H i 6H SiC. Od wielu lat jesteśmy producentem i dostawcą wafli. Nasz 8-calowy wafel SiC typu N ma dobrą przewagę cenową i obejmuje większość rynków europejskich i amerykańskich. Cieszymy się, że możemy zostać Twoim długoterminowym partnerem w Chinach.
Czytaj więcejWyślij zapytanieSemicorex dostarcza wlewki SiC typu N o długości 4 cali, 6 cali i 8 cali. Od wielu lat jesteśmy producentem i dostawcą wafli. Nasz 4-calowy 6-calowy 8-calowy wlewek SiC typu N ma dobrą przewagę cenową i obejmuje większość rynków europejskich i amerykańskich. Cieszymy się, że zostaniemy Twoim długoterminowym partnerem w Chinach.
Czytaj więcejWyślij zapytanieSemicorex dostarcza półizolujące wlewki SiC o wysokiej czystości o średnicy 4 cali i 6 cali. Od wielu lat jesteśmy producentem i dostawcą wafli. Nasz 4-calowy 6-calowy półizolujący wlewek SiC o wysokiej czystości ma dobrą przewagę cenową i pokrywa większość rynków europejskich i amerykańskich. Cieszymy się, że możemy zostać Twoim długoterminowym partnerem w Chinach.
Czytaj więcejWyślij zapytanieSemicorex oferuje różne rodzaje płytek 4H i 6H SiC. Od wielu lat jesteśmy producentem i dostawcą wafli. Nasz wafel z podłożem SiC typu P ma dobrą przewagę cenową i pokrywa większość rynków europejskich i amerykańskich. Cieszymy się, że możemy zostać Twoim długoterminowym partnerem w Chinach.
Czytaj więcejWyślij zapytanieSemicorex oferuje różne rodzaje płytek 4H i 6H SiC. Od wielu lat jesteśmy producentem i dostawcą wafli. Nasz podwójnie polerowany 6-calowy wafel SiC typu N ma dobrą przewagę cenową i obejmuje większość rynków europejskich i amerykańskich. Cieszymy się, że możemy zostać Twoim długoterminowym partnerem w Chinach.
Czytaj więcejWyślij zapytanie