Infineon przedstawia pierwszą na świecie płytkę Power GaN o średnicy 300 mm

Niedawno firma Infineon Technologies ogłosiła pomyślny rozwój pierwszej na świecie technologii płytek z azotku galu (GaN) o średnicy 300 mm. To czyni ich pierwszą firmą, która opanowała tę przełomową technologię i osiągnęła masową produkcję w istniejących środowiskach produkcyjnych na dużą skalę i o dużej wydajności. Ta innowacja oznacza znaczący postęp na rynku półprzewodników mocy opartych na GaN.

Jak technologia 300 mm wypada w porównaniu z technologią 200 mm?

W porównaniu z technologią 200 mm, zastosowanie płytek 300 mm pozwala na produkcję 2,3 razy więcej chipów GaN na płytkę, znacznie zwiększając wydajność i wydajność produkcji. Ten przełom nie tylko umacnia wiodącą pozycję Infineon w dziedzinie systemów zasilania, ale także przyspiesza szybki rozwój technologii GaN.

Co dyrektor generalny Infineon powiedział o tym osiągnięciu?

Dyrektor generalny Infineon Technologies, Jochen Hanebeck, stwierdził: „To niezwykłe osiągnięcie pokazuje naszą silną siłę w zakresie innowacji i jest świadectwem nieustannych wysiłków naszego globalnego zespołu. Jesteśmy głęboko przekonani, że ten przełom technologiczny zmieni standardy branżowe i odblokuje pełny potencjał technologii GaN. Prawie rok po przejęciu GaN Systems po raz kolejny pokazujemy, że jesteśmy zdeterminowani, aby przewodzić na szybko rozwijającym się rynku GaN. Jako lider systemów zasilania, Infineon zyskał przewagę konkurencyjną w zakresie trzech kluczowych materiałów: krzemu, węglika krzemu i GaN.

Dyrektor generalny Infineon, Jochen Hanebeck, jest w posiadaniu jednego z pierwszych na świecie płytek GaN Power o średnicy 300 mm wyprodukowanych w istniejącym i skalowalnym środowisku produkcyjnym na dużą skalę

Dlaczego technologia GaN 300 mm jest korzystna?

Istotną zaletą technologii GaN 300 mm jest to, że można ją wytwarzać przy użyciu istniejącego sprzętu do produkcji krzemu 300 mm, ponieważ procesy produkcyjne GaN i krzemu są podobne. Ta funkcja umożliwia firmie Infineon bezproblemową integrację technologii GaN z obecnymi systemami produkcyjnymi, przyspieszając w ten sposób wdrażanie i zastosowanie tej technologii.

Gdzie firma Infineon z powodzeniem wyprodukowała płytki GaN o średnicy 300 mm?

Obecnie firma Infineon z powodzeniem wyprodukowała płytki GaN o średnicy 300 mm na istniejących liniach do produkcji krzemu o średnicy 300 mm w swojej elektrowni w Villach w Austrii. Opierając się na ustalonych podstawach technologii GaN 200 mm i produkcji krzemu 300 mm, firma jeszcze bardziej rozszerzyła swoje możliwości technologiczne i produkcyjne.

Co ten przełom oznacza dla przyszłości?

Ten przełom nie tylko podkreśla mocne strony Infineon w zakresie innowacji i możliwości produkcyjnych na dużą skalę, ale także stanowi solidny fundament pod przyszły rozwój branży półprzewodników mocy. W miarę ciągłego rozwoju technologii GaN, Infineon będzie nadal napędzać rozwój rynku, jeszcze bardziej wzmacniając swoją pozycję lidera w światowym przemyśle półprzewodników.**