2023-04-06
MOCVD, znane jako Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), to technika hodowli cienkich warstw półprzewodnikowych na podłożu. Dzięki MOCVD można z dużą precyzją osadzać wiele nanowarstw, z których każda ma kontrolowaną grubość, w celu utworzenia materiałów o określonych właściwościach optycznych i elektrycznych.
System MOCVD to rodzaj systemu chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD), który wykorzystuje metaloorganiczne prekursory do osadzania cienkich warstw materiału na podłożu. System składa się ze zbiornika reaktora, systemu dostarczania gazu, uchwytu substratu i systemu kontroli temperatury. Metaloorganiczne prekursory są wprowadzane do naczynia reaktora wraz z gazem nośnym, a temperatura jest dokładnie kontrolowana, aby zapewnić wzrost wysokiej jakości cienkiej warstwy.
Zastosowanie MOCVD ma kilka zalet w porównaniu z innymi technikami osadzania. Jedną z zalet jest to, że umożliwia osadzanie złożonych materiałów z precyzyjną kontrolą grubości i składu cienkich warstw. Jest to szczególnie ważne w przypadku produkcji wysokowydajnych urządzeń półprzewodnikowych, gdzie właściwości materiałowe cienkich warstw mogą mieć znaczący wpływ na wydajność urządzenia.
Kolejną zaletą MOCVD jest to, że można go stosować do osadzania cienkich warstw na różnych podłożach, w tym na krzemie, szafirze i arsenku galu. Ta elastyczność sprawia, że jest to niezbędny proces w produkcji szerokiej gamy urządzeń półprzewodnikowych, od chipów komputerowych po diody LED.
Systemy MOCVD są szeroko stosowane w przemyśle półprzewodnikowym i odegrały kluczową rolę w rozwoju wielu zaawansowanych technologii. Na przykład MOCVD był używany do produkcji wysokowydajnych diod LED do zastosowań oświetleniowych i wyświetlaczy, a także wysokowydajnych ogniw słonecznych do zastosowań fotowoltaicznych.