Podłoże waflowe 3C-SiC

Podłoże waflowe 3C-SiC (sześcienny węglik krzemu) odnosi się do określonego typu struktury krystalicznej węglika krzemu, która jest powszechnie stosowana jako materiał podłoża w dziedzinie produkcji urządzeń półprzewodnikowych. Stanowi alternatywę dla innych podłoży na bazie krzemu, takich jak krzem (Si) czy krzemo-german (SiGe), ze względu na swoje doskonałe właściwości materiałowe.

Podłoże waflowe 3C-SiC o wysokiej przewodności cieplnej, ustępując jedynie diamentowi. Węglik krzemu znany jest z doskonałej przewodności cieplnej, wysokiej siły pola elektrycznego przebicia i szerokiego pasma wzbronionego, dzięki czemu dobrze nadaje się do zastosowań w elektronice mocy, urządzeniach wysokotemperaturowych i urządzeniach o wysokiej częstotliwości.