Rozpoczęcie produkcji płytek 3C-SiC

Niedawno zmierzona przewodność cieplna masowego 3C-SiC jest drugą najwyższą wśród dużych kryształów w skali cala, plasując się tuż za diamentem. Węglik krzemu (SiC) jest półprzewodnikiem o szerokim paśmie wzbronionym, szeroko stosowanym w zastosowaniach elektronicznych i występuje w różnych formach krystalicznych zwanych politypami. Zarządzanie wysokim zlokalizowanym strumieniem ciepła jest poważnym wyzwaniem w energoelektronice, ponieważ może prowadzić do przegrzania urządzenia oraz długotrwałych problemów z wydajnością i niezawodnością.

Materiały o wysokiej przewodności cieplnej mają kluczowe znaczenie w projektowaniu zarządzania ciepłem, aby skutecznie sprostać temu wyzwaniu. Najczęściej używanymi i badanymi politypami SiC są faza heksagonalna (6H i 4H), podczas gdy faza sześcienna (3C) jest mniej zbadana, pomimo jej potencjału w zakresie doskonałych właściwości elektronicznych.

Zmierzona przewodność cieplna 3C-SiC jest zagadkowa, ponieważ spada poniżej strukturalnie bardziej złożonej fazy 6H-SiC, a nawet poniżej wartości przewidywanej teoretycznie. W rzeczywistości zawarte w kryształach 3C-SiC powodują ekstremalne rezonansowe rozpraszanie fononów, co znacznie obniża jego przewodność cieplną. Wysoka przewodność cieplna dzięki kryształom 3C-SiC o wysokiej czystości i wysokiej jakości kryształów.

Co ciekawe, cienkie warstwy 3C-SiC wyhodowane na podłożach Si wykazują rekordowo wysokie właściwości termiczne w płaszczyźnie i w płaszczyźnie poprzecznejprzewodność, przewyższając nawet cienkie warstwy diamentu o równoważnych grubościach. Badanie to plasuje 3C-SiC jako drugi materiał o najwyższej przewodności cieplnej wśród kryształów w skali cala, ustępując jedynie monokrystalicznemu diamentowi, który ma najwyższą przewodność cieplną spośród wszystkich materiałów naturalnych.

Ekonomiczność, łatwość integracji z innymi materiałami oraz możliwość wzrostu dużych rozmiarów płytek sprawiają, że 3C-SiC jest wysoce odpowiednim materiałem do zarządzania ciepłem i wyjątkowym materiałem elektronicznym o wysokiej przewodności cieplnej do skalowalnej produkcji. Unikalne połączenie właściwości termicznych, elektrycznych i strukturalnych 3C-SiC może zrewolucjonizować następną generację elektroniki, służąc jako komponenty aktywne lub materiały odprowadzające ciepło, ułatwiające chłodzenie urządzeń i zmniejszające zużycie energii. Zastosowania, które mogą skorzystać z wysokiej przewodności cieplnej 3C-SiC, obejmują energoelektronikę, elektronikę o częstotliwości radiowej i optoelektronikę.

Miło nam poinformować, że firma Semicorex rozpoczęła produkcję4-calowe płytki 3C-SiC. Jeśli masz jakiekolwiek pytania lub potrzebujesz dodatkowych informacji, skontaktuj się z nami.

Telefon kontaktowy #+86-13567891907

E-mail:sprzedaż@semicorex.com