Co to jest epitaksja SiC?

Epitaksja z węglika krzemu (SiC) jest kluczową technologią w dziedzinie półprzewodników, zwłaszcza w rozwoju urządzeń elektronicznych dużej mocy. SiC to półprzewodnik złożony z szerokim pasmem wzbronionym, dzięki czemu idealnie nadaje się do zastosowań wymagających pracy w wysokich temperaturach i przy wysokim napięciu.

Epitaksja SiC to proces wzrostu cienkiej warstwy materiału krystalicznego na podłożu, zazwyczaj krzemu, przy użyciu technik chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD) lub epitaksji z wiązki molekularnej (MBE). Warstwa epitaksjalna ma taką samą strukturę krystaliczną i orientację jak podłoże, co pozwala na utworzenie wysokiej jakości interfejsu między dwoma materiałami.

Epitaksja SiC jest szeroko stosowana w rozwoju energoelektroniki, w tym urządzeń zasilających, takich jak diody, tranzystory i tyrystory. Urządzenia te są wykorzystywane w szerokim zakresie zastosowań, takich jak pojazdy elektryczne, systemy energii odnawialnej i zasilacze.

W ostatnich latach wzrosło zainteresowanie rozwojem epitaksji SiC do wytwarzania urządzeń o dużej mocy do zastosowań takich jak pojazdy elektryczne i systemy energii odnawialnej. Oczekuje się, że popyt na te urządzenia będzie szybko rósł w nadchodzących latach, napędzany potrzebą bardziej wydajnych i zrównoważonych systemów energetycznych.

W odpowiedzi na to zapotrzebowanie naukowcy i firmy inwestują w rozwój technologii epitaksji SiC, koncentrując się na poprawie jakości i obniżeniu kosztów procesu. Na przykład niektóre firmy opracowują epitaksję SiC na większych podłożach, aby obniżyć koszt jednej płytki, podczas gdy inne badają nowe techniki zmniejszania gęstości defektów.

Epitaksja SiC jest również wykorzystywana do opracowywania zaawansowanych czujników do szeregu zastosowań, w tym do wykrywania gazów, temperatury i ciśnienia. SiC ma unikalne właściwości, które sprawiają, że idealnie nadaje się do tych zastosowań, takie jak stabilność w wysokich temperaturach i odporność na trudne warunki środowiskowe.