Proces epitaksjalny płytek jest krytyczną techniką stosowaną w produkcji półprzewodników. Polega na wzroście cienkiej warstwy materiału krystalicznego na wierzchu podłoża, które ma taką samą strukturę krystaliczną i orientację jak podłoże. Proces ten tworzy wysokiej jakości interfejs między dwoma materiałami, umożliwiając rozwój zaawansowanych urządzeń elektronicznych.

Proces płytek epitaksjalnych jest wykorzystywany do produkcji różnych urządzeń półprzewodnikowych, w tym diod, tranzystorów i układów scalonych. Proces jest zwykle przeprowadzany przy użyciu technik chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD) lub epitaksji z wiązki molekularnej (MBE). Techniki te polegają na osadzeniu atomów materiału na powierzchni podłoża, gdzie tworzą warstwę krystaliczną.

Epitaksjalny proces waflowy jest złożoną i precyzyjną techniką, która wymaga ścisłej kontroli nad różnymi parametrami, takimi jak temperatura, ciśnienie i natężenie przepływu gazu. Wzrost warstwy epitaksjalnej musi być dokładnie kontrolowany, aby zapewnić tworzenie wysokiej jakości struktury krystalicznej o niskiej gęstości defektów.

Jakość procesu wytwarzania płytek epitaksjalnych ma kluczowe znaczenie dla wydajności powstałego urządzenia półprzewodnikowego. Warstwa epitaksjalna musi mieć jednolitą grubość, niską gęstość defektów i wysoki poziom czystości, aby zapewnić optymalne właściwości elektroniczne. Grubość i poziom domieszkowania warstwy epitaksjalnej można precyzyjnie kontrolować, aby uzyskać pożądane właściwości, takie jak przewodnictwo i pasmo wzbronione.

W ostatnich latach epitaksjalny proces płytek nabiera coraz większego znaczenia w produkcji wysokowydajnych urządzeń półprzewodnikowych, szczególnie w dziedzinie energoelektroniki. Zapotrzebowanie na wysokowydajne urządzenia o zwiększonej wydajności i niezawodności napędza rozwój zaawansowanych procesów epitaksjalnych płytek.

Epitaksjalny proces waflowy jest również wykorzystywany do opracowywania zaawansowanych czujników, w tym czujników temperatury, czujników gazu i czujników ciśnienia. Czujniki te wymagają wysokiej jakości warstw krystalicznych o określonych właściwościach elektronicznych, które można uzyskać dzięki procesowi płytek epitaksjalnych.