Zgodnie z wynikami badań powłoka TaC może działać jako warstwa ochronna i izolacyjna, przedłużając żywotność elementów grafitowych, poprawiając jednorodność temperatury promieniowej, utrzymując stechiometrię sublimacyjną SiC, tłumiąc migrację zanieczyszczeń i zmniejszając zużycie energii. Oczekuje s......
Czytaj więcejChemiczne osadzanie z fazy gazowej CVD odnosi się do wprowadzenia dwóch lub więcej surowców gazowych do komory reakcyjnej w warunkach próżni i wysokiej temperatury, gdzie surowce gazowe reagują ze sobą, tworząc nowy materiał, który osadza się na powierzchni płytki.
Czytaj więcejDo 2027 r. fotowoltaika (PV) wyprzedzi węgiel i stanie się największą na świecie mocą zainstalowaną. W naszej prognozie łączna moc zainstalowana fotowoltaiki niemal się potroi, rosnąc w tym okresie o prawie 1500 gigawatów i do 2026 r. przewyższy gaz ziemny, a do 2027 r. węgiel.
Czytaj więcejObszary zastosowań GaN na bazie SiC i na bazie Si nie są ściśle rozdzielone. W urządzeniach GaN-on-SiC koszt podłoża SiC jest stosunkowo wysoki, a wraz z rosnącą dojrzałością technologii długich kryształów SiC oczekuje się dalszego spadku kosztu urządzenia i jest ono stosowane w urządzeniach zasilaj......
Czytaj więcejObróbka cieplna jest jednym z podstawowych i ważnych procesów w procesie wytwarzania półprzewodników. Proces termiczny to proces dostarczania energii cieplnej do płytki poprzez umieszczenie jej w środowisku wypełnionym określonym gazem, w tym utlenianie/dyfuzja/wyżarzanie itp.
Czytaj więcejTajwańska firma Power Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) ogłosiła plany budowy fabryki płytek 300 mm w Japonii we współpracy z SBI Holdings. Celem tej współpracy jest wzmocnienie krajowego łańcucha dostaw układów scalonych (układów scalonych) w Japonii, ze szczególnym uwzględnieniem obwo......
Czytaj więcej