- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Aktualności
Heteroepitaksja 3C-SiC: przegląd
Rozwój 3C-SiC, ważnego politypu węglika krzemu, odzwierciedla ciągły postęp nauki o materiałach półprzewodnikowych. W latach 80. Nishino i in. po raz pierwszy uzyskano warstwę 3C-SiC o grubości 4 μm na podłożu krzemowym za pomocą chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD)[1], kładąc podwaliny pod te......
Czytaj więcej
Gruby SiC o wysokiej czystości CVD: spostrzeżenia dotyczące procesu wzrostu materiału
Grube warstwy węglika krzemu (SiC) o wysokiej czystości, zwykle przekraczające 1 mm, są krytycznymi komponentami w różnych zastosowaniach o dużej wartości, w tym w produkcji półprzewodników i technologiach lotniczych. W tym artykule szczegółowo opisano proces chemicznego osadzania z fazy gazowej (CV......
Czytaj więcej
Krzem monokrystaliczny a krzem polikrystaliczny
Krzem monokrystaliczny i krzem polikrystaliczny mają swoje unikalne zalety i możliwe scenariusze. Krzem monokrystaliczny nadaje się do wysokowydajnych produktów elektronicznych i mikroelektroniki ze względu na doskonałe właściwości elektryczne i mechaniczne. Z drugiej strony krzem polikrystaliczny d......
Czytaj więcej
Podłoże i epitaksja
W procesie przygotowania płytek występują dwa zasadnicze ogniwa: jednym jest przygotowanie podłoża, drugim zaś realizacja procesu epitaksjalnego. Podłoże, czyli płytka starannie wykonana z półprzewodnikowego materiału monokrystalicznego, można bezpośrednio zastosować w procesie produkcji płytek jako......
Czytaj więcej
Zrozumienie chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD): kompleksowy przegląd
Chemiczne osadzanie z fazy gazowej (CVD) to wszechstronna technika osadzania cienkowarstwowego, szeroko stosowana w przemyśle półprzewodników do wytwarzania wysokiej jakości cienkich warstw konforemnych na różnych podłożach. Proces ten polega na reakcjach chemicznych prekursorów gazowych na podgrzan......
Czytaj więcej
