- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Aktualności
Susceptory pokryte SiC w procesach MOCVD
Susceptory pokryte CVD SiC pełnią funkcję wyspecjalizowanych oprawek płytek w procesach metaloorganicznego chemicznego osadzania z fazy gazowej (MOCVD), odgrywając kluczową rolę w produkcji półprzewodników. Składniki te są niezbędne do utrzymania integralności strukturalnej płytek podczas epitaksji ......
Czytaj więcej
Homoepitaksja i heteroepitaksja wyjaśnione w prosty sposób
Homoepitaksja i heteroepitaksja odgrywają kluczową rolę w naukach o materiałach. Homoepitaksja polega na wzroście warstwy krystalicznej na podłożu z tego samego materiału, zapewniając minimalne defekty dzięki doskonałemu dopasowaniu sieci. Natomiast heteroepitaksja tworzy warstwę krystaliczną na inn......
Czytaj więcej
