SIC LID

LID SEMICOREX SIC jest istotną częścią zaprojektowaną specjalnie do przetwarzania półprzewodników. Jest przeznaczony do najtrudniejszych środowisk w epitaksji, implantacji jonów i zastosowaniach o wysokiej temperaturze. Jest wytwarzany z ultra-kure krzemowego węgliku, który ma wyjątkowo stabilne właściwości materiału i zaprojektowaną precyzję. Długoterminowa spójność, trwałość i czystość są kluczowymi powodami wyboru pokrywki SIC do stosowania w zaawansowanych procesach wytwarzania półprzewodników.

Węglik krzemowy (sic)Ma szereg nieruchomości, które są unikalne w porównaniu z tradycyjną ceramiką lub materiałami metalicznymi. One of the main advantages of SiC is its resistance to high temperatures. SIC może utrzymać integralność strukturalną i stabilność mechaniczną - przez długi czas nawet w podwyższonych temperaturach. To sprawia, że ​​SIC idealnie nadaje się do procesów, takich jak chemiczne odkładanie pary (CVD) lub implantację jonów o wysokiej energii. Metals and plastics would deform, oxidize, or contaminate at extreme temperatures, while SiC will maintain its dimensional stability and will not positively interact with the wafers being processed.

Odporność chemiczna jest kolejną cechą wyróżniającą pokryw SIC. W przetwarzaniu półprzewodnikowym środowiska, z którymi można napotkać z gazami korozyjnymi, plazmą lub reaktywnymi chemikaliami, nie są rzadkie. W tych scenariuszach powierzchnia SIC zapewni obojętną barierę, aby oprzeć się tym zanieczyszczeniom z degradacji powierzchni w czasie, co powoduje dłuższą skuteczną żywotność. This longevity equates to reduced maintenance costs, reduced equipment down time, and repeatability across extended process cycles. Czynniki te sprawiają, że pokrywka SIC jest lepszą opcją dla FAB, które wymagają ciągłej produkcji o wysokiej wydajności w porównaniu z tradycyjnymi materiałami.

Podobnie jak odporność chemiczna, czystość jest również najważniejsza w zastosowaniu półprzewodnikowym. Obecność zanieczyszczeń śladowych może mieć negatywny wpływ na wydajność i wydajność urządzenia. Pokrywa SIC jest wytwarzana z materiałów węglika z wysokiej czystości, co wyklucza możliwość napływu zanieczyszczeń metalicznych do środowiska procesowego. Ponadto gwarantuje, że jest tak czysty i stabilny, ponieważ odnosi się do zanieczyszczeń i sił zewnętrznych wpływających na wydajność pokrywki, co ma kluczowe znaczenie w spełnieniu dzisiejszych wymagań produkcyjnych półprzewodników, w których obiekty na poziomie nanometru muszą być zdefiniowane z bezwymiarową precyzją i kontrolą zanieczyszczeń. Elastyczność oferowana przez SIC LID to dodatkowa wartość. Each component can be designed for a specific customer's needs with respect to size, geometry, and surface finish. This ensures that the lid can be easily incorporated into and integrated with different equipment models and process tools.

Precyzja obróbkiSicLIDS dodatkowo poprawia wartość pokrywek SIC. Semiconductor tools require the highest mechanical precision due to large fluctuations in dimensional compatibility and surface uniformity, even minor variances in uniformity and material thickness can severely compromise a tool's process consistencies, throughput and product quality. Via advanced technologies in materials processing, SiC lids have a flatness, surface uniformity and tolerances that exceed conventional industry standards, offering mechanical sealing surface thickness o f, typically, thousands/thousands of an inch (TIR). The high flatness allows sealing down a mechanical fit as well as the assurance for laboratory-grade limits to experience conditions in the production process can be replicated. This is particularly apparent in high volume fabs where the emphasis on repeatability of conditions is crucial for the performance of semiconductors devices. When you pursue precision engineering it speaks directly to yield optimization. When SiC lids are in typical practical use, for example, in epitaxy where the SiC lid sits thermally and chemically stable to get in the reactor, or in an ion implantation system to resist energetic particles ejected from a high power beam of ions hitting the lid, their mechanical configurations and properties maintained their performance under constant bombardment of energetic solids, stable to operating conditions and maintenance were potential suitors in why SiC lids are destined to be synonymous in solid-state semiconductor production.

Pokrywa SEMICOREX SIC reprezentuje to, co najlepsze zarówno w nauce materiałowej, jak i inżynierii materiałowej oraz oferuje najlepszą możliwą wydajność w środowisku półprzewodnikowym, wśród ich tolerancji o wysokiej temperaturze, odporności chemicznej, idealnej czystości, niestandardowych produktach, precyzyjnej pracy obróbki, pokrywce SIC.