Wspornik cokołu z powłoką TaC

Semicorex TaC Coating Pedestal Supporter odgrywa kluczową rolę we wsparciu mechanicznym, ale także w kontrolowaniu przepływu procesu. Znajduje się pod głównym susceptorem lub nośnikiem płytek, gdy jest używany w reaktorze. Blokuje zespół obrotowy w odpowiednim położeniu, utrzymuje równowagę termiczną w cokole i zarządza prawidłowym przepływem gazu pod strefą płytki. Wspornik cokołu z powłoką TaC spełnia obie funkcje i obejmuje konstrukcyjnie wykonaną podstawę grafitową pokrytą równomiernie gęstą warstwą węglika tantalu (TaC) metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD).

Węglik tantalu to jeden z najbardziej ogniotrwałych i chemicznie obojętnych materiałów dostępnych na rynku, o temperaturze topnienia powyżej 3800°C i dużej odporności na korozję i erozję. Kiedy do produkcji wykorzystuje się CVDPowłoki TaCefektem końcowym jest gładka, gęsta powłoka, która chroni podłoże grafitowe przed utlenianiem w wysokiej temperaturze, korozją amoniakalną i reakcją prekursorów metaloorganicznych. W przypadku długotrwałego narażenia na gazy korozyjne lub ekstremalne cykle termiczne związane z procesami epitaksjalnymi, wspornik cokołu wytrzymuje, zachowując stabilność strukturalną i chemiczną.

Pełniąc wiele krytycznych funkcji, powłoka CVD TaC działa jak bariera ochronna, zapobiegając przedostawaniu się potencjalnych zanieczyszczeń węglem z powłoki grafitowej i podłoża do środowiska reaktora lub uderzaniu w płytkę. Po drugie, zapewnia obojętność chemiczną, utrzymując czystą i stabilną powierzchnię zarówno w atmosferze utleniającej, jak i redukującej. Zapobiega to niepożądanym reakcjom między gazami procesowymi a sprzętem reaktora, zapewniając kontrolę chemii fazy gazowej i zachowanie jednorodności filmu.

Należy również podkreślić znaczenie wspornika stojaka w regulacji przepływu gazu. Kluczowym aspektem w procesie osadzania epitaksjalnego jest zapewnienie równomierności przepływu gazów procesowych po całej powierzchni płytki w celu uzyskania równomiernego wzrostu warstwy. Wspornik stojaka z powłoką TaC jest precyzyjnie obrobiony w celu kontrolowania kanałów przepływu gazu i geometrii, co pomoże w płynnym i równomiernym kierowaniu gazów procesowych do strefy reakcji. Kontrolując przepływ laminarny, minimalizuje się turbulencje, eliminowane są martwe strefy i powstaje bardziej stabilne środowisko gazowe. Wszystko to przyczynia się do doskonałej jednorodności grubości powłoki i lepszej jakości epitaksjalnej.

ThePowłoka TaCNależy również podkreślić znaczenie wspornika stojaka w regulacji przepływu gazu. Kluczowym aspektem w procesie osadzania epitaksjalnego jest zapewnienie równomierności przepływu gazów procesowych po całej powierzchni płytki w celu uzyskania równomiernego wzrostu warstwy. Wspornik stojaka z powłoką TaC jest precyzyjnie obrobiony w celu kontrolowania kanałów przepływu gazu i geometrii, co pomoże w płynnym i równomiernym kierowaniu gazów procesowych do strefy reakcji. Kontrolując przepływ laminarny, minimalizuje się turbulencje, eliminowane są martwe strefy i powstaje bardziej stabilne środowisko gazowe. Wszystko to przyczynia się do doskonałej jednorodności grubości powłoki i lepszej jakości epitaksjalnej.

Wspornik stojaka z powłoką TaC ma wysoką trwałość mechaniczną, co zapewnia dłuższą żywotność. W szczególności proces powlekania CVD tworzy stałe wiązanie molekularne pomiędzy warstwą TaC a podłożem grafitowym, aby zapobiec rozwarstwianiu, pękaniu lub złuszczaniu w wyniku naprężenia termicznego. Jest to zatem komponent, który przetrwa setki cykli w wysokiej temperaturze bez degradacji.