Górna połowa księżyca z powłoką TaC

Semicorex TaC Coating Upper Halfmoon to specjalnie zaprojektowany komponent dostosowany do osiągania wysokowydajnych procesów epitaksjalnych w dziedzinie produkcji półprzewodników. Element TaC Coating Upper Halfmoon został zaprojektowany tak, aby idealnie pasował do reaktorów epitaksjalnych, zapewniając wyjątkową trwałość i stabilność w ekstremalnych warunkach.

Powłoka TaC zapewnia doskonałą odporność na wysokie temperatury, dzięki czemu powłoka TaC Coating Upper Halfmoon jest idealna do wymagających środowisk termicznych procesów epitaksjalnych. Zapewnia to stałą wydajność i trwałość, zmniejszając częstotliwość wymian i przestojów. Powłoka TaC Coating Upper Halfmoon jest odporna na korozyjne gazy i chemikalia powszechnie stosowane w procesie epitaksjalnym, chroniąc integralność elementu i utrzymując czystość procesu.

Gładka i jednolita powłoka TaC poprawia jakość warstw epitaksjalnych, minimalizując defekty i zanieczyszczenia. Przyczynia się to do wyższych współczynników wydajności i doskonałych właściwości elektronicznych urządzeń półprzewodnikowych. Połączenie odporności termicznej i chemicznej wydłuża żywotność powłoki TaC Coating Upper Halfmoon, zapewniając ekonomiczne rozwiązanie umożliwiające utrzymanie wysokiej przepustowości i wydajności w produkcji półprzewodników.

Aplikacje:

Procesy wysokotemperaturowego chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD).

Epitaksja z węglika krzemu (SiC) i azotku galu (GaN).

Dane techniczne:

Materiał: powłoka z węglika tantalu (TaC).

Zakres temperatur: do 2200°C

Odporność chemiczna: Doskonała przeciwko HF, HCl i innym gazom korozyjnym

Wymiary: Możliwość dostosowania do konkretnych modeli reaktorów

Semicorex TaC Coating Upper Halfmoon jest niezbędnym składnikiem umożliwiającym uzyskanie wysokiej jakości warstw epitaksjalnych o zwiększonej wydajności i zmniejszonym ryzyku zanieczyszczenia. Jego zaawansowane właściwości materiałowe i precyzyjna konstrukcja sprawiają, że jest to cenny atut w branży półprzewodników, wspierający produkcję urządzeń elektronicznych nowej generacji.