Akceptor opłatków

Susceptor waflowy Semicorex jest fachowo wykonany z grafitu i pokryty węglikiem krzemu (SiC), aby sprostać wymagającym warunkom nowoczesnej produkcji półprzewodników.

W procesach epitaksji absolutnie niezbędne jest utrzymanie stabilnego i kontrolowanego środowiska. Susceptor waflowy służy jako podstawowa platforma, na której umieszczane są wafle podczas osadzania, spełniając precyzyjne wymagania dotyczące jednorodności temperatury, obojętności chemicznej i wytrzymałości mechanicznej, aby uzyskać wysokiej jakości warstwy epitaksjalne.

Wybór grafitu jako materiału bazowego na susceptor waflowy wynika z jego doskonałej przewodności cieplnej i właściwości mechanicznych. Zdolność grafitu do wytrzymywania wysokich temperatur przy jednoczesnym zachowaniu integralności strukturalnej ma kluczowe znaczenie w środowiskach wysokotemperaturowych reaktorów epitaksji. Dodatkowo przewodność cieplna grafitu zapewnia efektywną dystrybucję ciepła w waflu, zmniejszając ryzyko wystąpienia gradientów temperatury, które mogłyby prowadzić do defektów w warstwie epitaksjalnej.

Aby zwiększyć wydajność susceptora waflowego, na grafitową podstawę fachowo nakłada się powłokę z węglika krzemu (SiC). SiC to bardzo trwały materiał o doskonałej odporności chemicznej, dzięki czemu idealnie nadaje się do stosowania w środowiskach półprzewodników, w których często występują reaktywne gazy. Powłoka SiC zapewnia barierę ochronną, która chroni grafit przed potencjalnymi reakcjami chemicznymi, zapewniając trwałość susceptora płytki i utrzymanie czystego środowiska w reaktorze.

Semicorex Wafer Susceptor wykonany z grafitu pokrytego SiC jest niezbędnym elementem w procesach epitaksji półprzewodników. Połączenie właściwości termicznych i mechanicznych grafitu ze stabilnością chemiczną i termiczną węglika krzemu sprawia, że ​​idealnie nadaje się do rygorystycznych wymagań nowoczesnej produkcji półprzewodników. Konstrukcja jednopłytkowa zapewnia precyzyjną kontrolę nad procesem epitaksji, przyczyniając się do produkcji wysokiej jakości urządzeń półprzewodnikowych. Susceptor ten gwarantuje, że płytki są obsługiwane z najwyższą starannością i precyzją, co pozwala uzyskać doskonałe warstwy epitaksjalne i produkty półprzewodnikowe o lepszych parametrach.