4-calowe podłoża z tlenku galu

Podłoża z tlenku galu Semicorex 4" wykazują doskonałą stabilność chemiczną i termiczną, zapewniając niezmienne i niezawodne działanie nawet w ekstremalnych warunkach. Ta wytrzymałość jest kluczowa w zastosowaniach, w których występują wysokie temperatury i środowiska reaktywne. Ponadto 4" podłoża z tlenku galu zachowują doskonałą przezroczystość optyczną w szerokim zakresie długości fal, od ultrafioletu do podczerwieni, co czyni go atrakcyjnym do zastosowań optoelektronicznych, w tym diod elektroluminescencyjnych i diod laserowych.

Przy pasmie wzbronionym w zakresie od 4,7 do 4,9 eV, 4-calowe podłoża z tlenku galu znacznie przewyższają węglik krzemu (SiC) i azotek galu (GaN) pod względem krytycznego natężenia pola elektrycznego, osiągając do 8 MV/cm w porównaniu do 2,5 MV/cm i SiC GaN 3,3 MV/cm. Ta właściwość w połączeniu z ruchliwością elektronów wynoszącą 250 cm²/V i zwiększoną przezroczystością w przewodzeniu prądu elektrycznego daje 4-calowym substratom z tlenku galu znaczącą przewagę w energoelektronice. Wartość jego współczynnika Baligi przekracza 3000, wielokrotnie przewyższając GaN i SiC, co wskazuje na doskonałą wydajność w zastosowaniach energetycznych.

Substraty Semicorex 4" z tlenku galu są szczególnie korzystne do stosowania w komunikacji, radarach, lotnictwie, kolei dużych prędkości i pojazdach nowej energii. Wyjątkowo nadają się do czujników wykrywania promieniowania w tych sektorach, zwłaszcza w urządzeniach o dużej mocy i wysokiej temperaturze, oraz urządzenia wysokiej częstotliwości, w których Ga2O3 wykazuje znaczną przewagę nad SiC i GaN.