Podłoża azotku aluminiowego

Definicje substratów azotku aluminiowego półkolorowego wskazują na szablony azotku aluminiowego na bazie krzemowej. W miarę rozwoju ERA 5G zastosowania o wysokiej częstotliwości szybko nabierają pędu. Ekspansja i rozwój sieci 5G zwiększają wymagania dotyczące coraz większych pasm częstotliwości wraz z wyższymi częstotliwościami roboczymi. Fala ma z częściowo proporcjonalnie podniesione wymagania zarówno w ilości, jak i jakości filtrów RF. Aby umożliwić wysokowydajny przemysł produkcji filtrów RF, jest istotnym wymogiem, aby materiały podłoża piezoelektrycznego udowodniono wysoką jakość.

Substraty półprzewodnikowe z azotek półprzewodnikowych Bandgap Bandgap jest materiałem o ogromnym potencjale zastosowania, ze względu na wiele znakomitych właściwości, jako potencjalny materiał do zaawansowanego wykorzystania w elektronice i optoelektronice. Bandgap do 6,2 eV pokazuje zapotrzebowanie na wytrzymałość na rozkład wysokiego pola, prędkość dryfu elektronów o wysokiej nasyceniu, stabilność chemiczna i termiczna. a także doskonałą przewodność cieplną i odporność na promieniowanie. Te cechy sprawiają, że ALN jest niezbędnym materiałem w wysokowydajnych urządzeniach elektronicznych, szczególnie w technologiach komunikacyjnych 5G.

W porównaniu z tradycyjnymi materiałami piezoelektrycznymi, takimi jak tlenek cynku (ZnO), tytanian cyrkonianu ołowiu (PZT) i lit tantalate/lit -niobate (LT/LN), substraty azotku glinu aluminiowe wykazują wyjątkowe właściwości, które sprawiają, że są wysoce odpowiednie dla 5 g filtrów RF. Właściwości te obejmują wysoką oporność elektryczną, doskonałą przewodność cieplną, doskonałą stabilność i ultra szybkie prędkość propagacji fali akustycznej. W szczególności prędkość fali podłużnej ALN osiąga około 11 000 m/s, podczas gdy prędkość fali poprzecznej wynosi około 6000 m/s. Te charakterystyki stanowią jedno z najbardziej idealnych materiałów piezoelektrycznych do wysokowydajnej powierzchniowej fali akustycznej (SAW), fali akustycznej luzem (BAW) i filtrów RF rezonatora akustycznego (FBAR).

Substraty azotku aluminiowego są zaprojektowane przede wszystkim do rynku materiałów piezoelektrycznych w filtrach frontowych 5G RF. Jakość i kluczowe parametry tego produktu zostały rygorystycznie przetestowane i zweryfikowane przez autorytatywne instytucje stron trzecich i oceny przetwarzania na poziomie opłat. Oceny te potwierdziły, że produkt spełnia, a nawet przekracza standardy międzynarodowe. Ponadto ustanowiono już technologię wymaganą do produkcji na dużą skalę, zapewniając stabilną masową produkcję i podaż w celu zaspokojenia zapotrzebowania rynku.

Wdrożenie sieci 5G wymaga wykorzystania wysoce wydajnych i niezawodnych filtrów RF do obsługi rosnącej liczby pasm częstotliwości. Podłoża ALN odgrywają kluczową rolę w wytwarzaniu filtrów SAW, BAW i FBAR, które są niezbędnymi elementami w modułach frontowych RF. Te filtry umożliwiają precyzyjne wybór częstotliwości, wzmocnienie sygnału i redukcję zakłóceń, zapewniając płynną i szybką transmisję danych w urządzeniach komunikacyjnych 5G, takich jak smartfony, stacje bazowe i aplikacje IoT.

Ponadto substraty azotku aluminiowego nie ograniczają się do samych filtrów RF. Mają również obiecujące zastosowania w elektronice energetycznej, tranzystorach o wysokiej częstotliwości, urządzeniach optoelektronicznych i komunikacji satelitarnej. Ich zdolność do wytrzymania wysokich napięć i działania w ekstremalnych warunkach czyni je atrakcyjnym wyborem dla elementów elektronicznych nowej generacji.