- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Wiadomości branżowe
Produkcja chipów: procesy cienkowarstwowe
Proces osadzania cienkich warstw półprzewodników jest istotnym elementem nowoczesnej technologii mikroelektroniki. Polega na konstruowaniu złożonych układów scalonych poprzez osadzanie jednej lub więcej cienkich warstw materiału na podłożu półprzewodnikowym.
Czytaj więcej
Osiąganie wysokiej jakości wzrostu kryształów SiC poprzez kontrolę gradientu temperatury w początkowej fazie wzrostu
Węglik krzemu (SiC) to materiał półprzewodnikowy o szerokiej przerwie wzbronionej, który w ostatnich latach wzbudził duże zainteresowanie ze względu na jego wyjątkową wydajność w zastosowaniach wysokiego napięcia i wysokiej temperatury. W tym badaniu systematycznie bada się różne cechy kryształów Si......
Czytaj więcej
Badanie rozkładu oporności elektrycznej w kryształach 4H-SiC typu n
4H-SiC, jako materiał półprzewodnikowy trzeciej generacji, słynie z szerokiego pasma wzbronionego, wysokiej przewodności cieplnej oraz doskonałej stabilności chemicznej i termicznej, co czyni go bardzo cennym w zastosowaniach wymagających dużej mocy i wysokiej częstotliwości.
Czytaj więcej
