- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Wiadomości branżowe
Wyzwania technologii implantacji jonów w urządzeniach zasilających SiC i GaN
Oczekuje się, że półprzewodniki o szerokim paśmie wzbronionym (WBG), takie jak węglik krzemu (SiC) i azotek galu (GaN), będą odgrywać coraz ważniejszą rolę w urządzeniach energoelektronicznych. Oferują kilka zalet w porównaniu z tradycyjnymi urządzeniami krzemowymi (Si), w tym wyższą wydajność, gęst......
Czytaj więcej
Różne zastosowania kwarcu w produkcji półprzewodników
Na pierwszy rzut oka materiał kwarcowy (SiO2) wygląda bardzo podobnie do szkła, jednak wyjątkowe jest to, że zwykłe szkło składa się z wielu składników (takich jak piasek kwarcowy, boraks, kwas borowy, baryt, węglan baru, wapień, skaleń, soda kalcynowana) itp.), podczas gdy kwarc zawiera tylko SiO2,......
Czytaj więcej
Zrozumienie całego procesu wytwarzania urządzeń półprzewodnikowych
Produkcja urządzeń półprzewodnikowych obejmuje przede wszystkim cztery typy procesów: (1) Fotolitografia (2) Techniki dopingu (3) Osadzanie błony (4) Techniki trawienia Konkretne stosowane techniki obejmują fotolitografię, implantację jonów, szybką obróbkę termiczną (RTP), chemiczne osadzanie ......
Czytaj więcej
