- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Wiadomości branżowe
Warstwy epitaksjalne: podstawa zaawansowanych urządzeń półprzewodnikowych
W przemyśle półprzewodników warstwy epitaksjalne odgrywają kluczową rolę, tworząc specyficzne cienkie warstwy monokryształu na podłożu waflowym, zwane łącznie płytkami epitaksjalnymi. W szczególności warstwy epitaksjalne z węglika krzemu (SiC) wyhodowane na przewodzących podłożach SiC dają jednorodn......
Czytaj więcej
Kluczowa rola warstw epitaksjalnych w urządzeniach półprzewodnikowych
Wzrost epitaksjalny odnosi się do procesu wzrostu krystalograficznie dobrze uporządkowanej warstwy monokrystalicznej na podłożu. Ogólnie rzecz biorąc, wzrost epitaksjalny obejmuje hodowlę warstwy kryształów na podłożu monokrystalicznym, przy czym wyhodowana warstwa ma tę samą orientację krystalograf......
Czytaj więcej
Wzrost i perspektywy rynku urządzeń zasilających z węglika krzemu (SiC).
W miarę stopniowego wzrostu globalnej akceptacji pojazdów elektrycznych w nadchodzącej dekadzie węglik krzemu (SiC) stanie przed nowymi możliwościami rozwoju. Przewiduje się, że producenci półprzewodników mocy oraz operatorzy branży motoryzacyjnej będą aktywniej uczestniczyć w budowie łańcucha warto......
Czytaj więcej
Zalety SiC w branży EV
Jako materiał półprzewodnikowy o szerokiej przerwie energetycznej (WBG), większa różnica energii SiC zapewnia mu wyższe właściwości termiczne i elektroniczne w porównaniu z tradycyjnym Si. Ta funkcja umożliwia urządzeniom zasilającym pracę przy wyższych temperaturach, częstotliwościach i napięciach.
Czytaj więcej
