- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Wiadomości branżowe
Wzrost i perspektywy rynku urządzeń zasilających z węglika krzemu (SiC).
W miarę stopniowego wzrostu globalnej akceptacji pojazdów elektrycznych w nadchodzącej dekadzie węglik krzemu (SiC) stanie przed nowymi możliwościami rozwoju. Przewiduje się, że producenci półprzewodników mocy oraz operatorzy branży motoryzacyjnej będą aktywniej uczestniczyć w budowie łańcucha warto......
Czytaj więcej
Zalety SiC w branży EV
Jako materiał półprzewodnikowy o szerokiej przerwie energetycznej (WBG), większa różnica energii SiC zapewnia mu wyższe właściwości termiczne i elektroniczne w porównaniu z tradycyjnym Si. Ta funkcja umożliwia urządzeniom zasilającym pracę przy wyższych temperaturach, częstotliwościach i napięciach.
Czytaj więcej
Kontrola dopingu w sublimacyjnym wzroście SiC
Węglik krzemu (SiC) odgrywa ważną rolę w produkcji energoelektroniki i urządzeń wysokiej częstotliwości ze względu na swoje doskonałe właściwości elektryczne i termiczne. Jakość i poziom domieszkowania kryształów SiC bezpośrednio wpływają na wydajność urządzenia, dlatego precyzyjna kontrola domieszk......
Czytaj więcej
Zastosowania elementów grafitowych pokrytych TaC
W procesie hodowli monokryształów SiC i AlN metodą fizycznego transportu pary (PVT) istotną rolę odgrywają takie elementy, jak tygiel, uchwyt kryształu zaszczepiającego i pierścień prowadzący. Podczas procesu przygotowania SiC kryształ zaszczepiający znajduje się w obszarze stosunkowo niskich temper......
Czytaj więcej
Proces cięcia i szlifowania podłoża
Materiał podłoża SiC jest rdzeniem chipa SiC. Proces produkcji podłoża przebiega: po otrzymaniu wlewka kryształu SiC poprzez hodowlę monokryształów; wówczas przygotowanie podłoża SiC wymaga wygładzenia, zaokrąglenia, cięcia, szlifowania (przerzedzania); polerowanie mechaniczne, polerowanie chemiczne......
Czytaj więcej
