- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Wiadomości branżowe
Przemysł węglika krzemu
Przemysł węglika krzemu obejmuje łańcuch procesów obejmujący tworzenie podłoża, wzrost epitaksjalny, projektowanie urządzeń, produkcję urządzeń, pakowanie i testowanie. Ogólnie rzecz biorąc, węglik krzemu wytwarza się w postaci wlewków, które następnie są krojone, mielone i polerowane w celu wytworz......
Czytaj więcej
Czy można szlifować węglik krzemu?
Węglik krzemu (SiC) ma ważne zastosowania w takich obszarach, jak elektronika mocy, urządzenia RF o wysokiej częstotliwości i czujniki w środowiskach odpornych na wysokie temperatury ze względu na jego doskonałe właściwości fizykochemiczne. Jednakże operacja krojenia podczas obróbki płytek SiC powod......
Czytaj więcej
GaN kontra SiC
Obecnie bada się kilka materiałów, spośród których węglik krzemu wyróżnia się jako jeden z najbardziej obiecujących. Podobnie jak GaN, charakteryzuje się wyższymi napięciami roboczymi, wyższymi napięciami przebicia i doskonałą przewodnością w porównaniu do krzemu. Co więcej, dzięki wysokiej przewodn......
Czytaj więcej
Powłoka w polu termicznym półprzewodnikowych monokryształów krzemu
Części powlekane w gorącym polu półprzewodnikowego monokrystalicznego krzemu są zazwyczaj powlekane metodą CVD, w tym powłoką z węgla pirolitycznego, powłoką z węglika krzemu i powłoką z węglika tantalu, każda o innej charakterystyce.
Czytaj więcej
3 metody formowania grafitu
Cztery główne metody formowania grafitu to: wytłaczanie, formowanie, formowanie wibracyjne i formowanie izostatyczne. Większość popularnych materiałów węglowych/grafitowych dostępnych na rynku jest formowana poprzez wytłaczanie i formowanie na gorąco (na zimno lub na gorąco), a formowanie izostatycz......
Czytaj więcej
Przedstawiamy fizyczny transport pary (PVT)
Własne cechy SiC decydują o tym, że wzrost jego monokryształów jest trudniejszy. Ze względu na brak fazy ciekłej Si:C=1:1 pod ciśnieniem atmosferycznym, bardziej dojrzały proces wzrostu przyjęty przez główny nurt przemysłu półprzewodników nie może być wykorzystany do uprawy bardziej dojrzałą metodą ......
Czytaj więcej
