- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Wiadomości branżowe
Zastosowania węglika krzemu
Węglik krzemu ma wiele zastosowań w gałęziach przemysłu wschodzących i tradycyjnych. Obecnie światowy rynek półprzewodników przekroczył 100 miliardów juanów. Oczekuje się, że do 2025 r. globalna sprzedaż materiałów do produkcji półprzewodników osiągnie 39,5 miliarda dolarów amerykańskich, z czego oc......
Czytaj więcej
Wprowadzenie do procesu implantacji i wyżarzania jonów węglika krzemu
W tradycyjnym wytwarzaniu krzemowych urządzeń zasilających dyfuzja w wysokiej temperaturze i implantacja jonów są podstawowymi metodami kontroli domieszek, a każda z nich ma swoje zalety i wady. Zazwyczaj dyfuzja w wysokiej temperaturze charakteryzuje się prostotą, opłacalnością, izotropowymi profil......
Czytaj więcej
Warstwy epitaksjalne: podstawa zaawansowanych urządzeń półprzewodnikowych
W przemyśle półprzewodników warstwy epitaksjalne odgrywają kluczową rolę, tworząc specyficzne cienkie warstwy monokryształu na podłożu waflowym, zwane łącznie płytkami epitaksjalnymi. W szczególności warstwy epitaksjalne z węglika krzemu (SiC) wyhodowane na przewodzących podłożach SiC dają jednorodn......
Czytaj więcej
Kluczowa rola warstw epitaksjalnych w urządzeniach półprzewodnikowych
Wzrost epitaksjalny odnosi się do procesu wzrostu krystalograficznie dobrze uporządkowanej warstwy monokrystalicznej na podłożu. Ogólnie rzecz biorąc, wzrost epitaksjalny obejmuje hodowlę warstwy kryształów na podłożu monokrystalicznym, przy czym wyhodowana warstwa ma tę samą orientację krystalograf......
Czytaj więcej
