Aktualności

Zastosowania przemysłowe GaN

Obszary zastosowań GaN na bazie SiC i na bazie Si nie są ściśle rozdzielone. W urządzeniach GaN-on-SiC koszt podłoża SiC jest stosunkowo wysoki, a wraz z rosnącą dojrzałością technologii długich kryształów SiC oczekuje się dalszego spadku kosztu urządzenia i jest ono stosowane w urządzeniach zasilaj......

O półprzewodnikowych elementach grzejnych

Obróbka cieplna jest jednym z podstawowych i ważnych procesów w procesie wytwarzania półprzewodników. Proces termiczny to proces dostarczania energii cieplnej do płytki poprzez umieszczenie jej w środowisku wypełnionym określonym gazem, w tym utlenianie/dyfuzja/wyżarzanie itp.

Rozpoczęcie produkcji płytek 3C-SiC

Niedawno zmierzona przewodność cieplna masowego 3C-SiC jest drugą najwyższą wśród dużych kryształów w skali cala, plasując się tuż za diamentem. Węglik krzemu (SiC) jest półprzewodnikiem o szerokim paśmie wzbronionym, szeroko stosowanym w zastosowaniach elektronicznych i występuje w różnych formach ......

Semicorex przedstawia 8-calowy wafel epitaksjalny SiC

PSMC z Tajwanu zbuduje fabrykę płytek 300 mm w Japonii

Tajwańska firma Power Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) ogłosiła plany budowy fabryki płytek 300 mm w Japonii we współpracy z SBI Holdings. Celem tej współpracy jest wzmocnienie krajowego łańcucha dostaw układów scalonych (układów scalonych) w Japonii, ze szczególnym uwzględnieniem obwo......

Co to jest CVD dla SiC