Uchwyt elektrostatyczny PBN

Właściwości materiałuPBNUchwyt elektrostatyczny

Odporność na wysoką temperaturę i wytrzymałość dielektryczna

ThePBNUchwyt elektrostatyczny słynie z wyjątkowej odporności na wysokie temperatury, cechy, która ma kluczowe znaczenie w procesie produkcji półprzewodników. Pirolityczny azotek boru (PBN), materiał zastosowany w konstrukcji uchwytu, wykazuje oporność wyższą niż większość powszechnie stosowanych materiałów ceramicznych, co ma kluczowe znaczenie dla utrzymania siły uchwytu Johnsen-Rahbek (J-R) do temperatur 1050°C. Ta wysoka rezystywność w połączeniu z dużą wytrzymałością dielektryczną zapewnia skuteczne zapobieganie przebiciom elektrycznym nawet w przypadku intensywnego ciepła, zwiększając w ten sposób niezawodność działania uchwytu.

Jednorodność termiczna i odporność na wstrząsy

Sześciokątna struktura kratowa PBN, przygotowana poprzez chemiczne osadzanie z fazy gazowej w temperaturach przekraczających 1500°C, przyczynia się do jego wyjątkowej równomierności termicznej i odporności na wstrząsy. Elementy grzejne o dużej gęstości wewnątrzPBNUchwyt elektrostatyczny umożliwia osiągnięcie spójnego profilu termicznego płytki z dobrą jednorodnością 1,1–1,5% w temperaturach 600–800°C. Co więcej, uchwyt na bazie PBN charakteryzuje się niezwykłą odpornością na szok termiczny i niższą masą termiczną, co pozwala na osiągnięcie 600°C przy dużej prędkości narastania 23°C/s bez ryzyka pękania lub rozwarstwiania.

Konfigurowalne ogrzewanie wielostrefowe

Uchwyt elektrostatyczny PBN można w dużym stopniu dostosować do indywidualnych potrzeb, oferując możliwość ogrzewania wielostrefowego, co pozwala na maksymalną kontrolę temperatury. Ten poziom dostosowania zapewnia, że ​​każdy uchwyt może być dostosowany do specyficznych wymagań poszczególnych klientów, zapewniając elastyczne rozwiązanie dla różnych zastosowań w przetwarzaniu półprzewodników.

ZastosowaniaPBNUchwyt elektrostatyczny

Implantacja jonowa i obsługa płytek

Uchwyt elektrostatyczny PBN jest preferowanym urządzeniem do przenoszenia płytek w procesach implantacji jonów. Jego zdolność do utrzymywania płytek w temperaturach przekraczających 1000°C czyni go jednym z najbardziej wszechstronnych uchwytów elektrostatycznych na rynku. Wszechstronność tę dodatkowo zwiększa zdolność do utrzymywania płytek w bardzo wąskich zakresach temperatur, dzięki wielostrefowym elementom grzejnym o dużej gęstości.

Implantacja jonów węglika krzemu

W konkretnym zastosowaniu implantacji jonów SiC,PBNUchwyt elektrostatyczny oferuje realne rozwiązanie problemów związanych z ogrzewaniem i obsługą płytek. Jego dwufunkcyjne możliwości, które obejmują dużą siłę mocowania, wysoką moc grzewczą, dobrą równomierność termiczną i szybką reakcję, czynią go idealnym wyborem do spełnienia złożonych wymagań związanych z implantacją jonów SiC.

Produkcja półprzewodników

Uchwyt elektrostatyczny PBN odgrywa kluczową rolę w produkcji półprzewodników, gdzie niezbędna jest precyzyjna obsługa płytek i kontrola temperatury. Wysoka odporność na szok termiczny i możliwość szybkiego zwiększania temperatury sprawiają, że nadaje się do zaawansowanych procesów półprzewodnikowych, które wymagają rygorystycznego zarządzania temperaturą i szybkich cykli termicznych.