Taca grafitowa pokryta SiC

Jako główny składnik sprzętu epitaksjalnego,Taca grafitowa pokryta SiC, bezpośrednio wpływa na wydajność produkcji, jednorodność i stopień defektów wzrostu warstwy epitaksjalnej.    

Dzięki oczyszczaniu grafitu, precyzyjnej obróbce i czyszczeniu powierzchnia podłoża grafitowego może osiągnąć doskonałą płaskość i gładkość, skutecznie unikając ryzyka zanieczyszczenia cząstkami. W wyniku chemicznego osadzania z fazy gazowej powierzchnia podłoża grafitowego ulega reakcji chemicznej z reaktywnym gazem, tworząc gęstą, pozbawioną porów i równomiernie grubą powłokę z węglika krzemu (SiC). Od przygotowania podłoża po obróbkę powłok, cały proces produkcyjny odbywa się w pomieszczeniu czystym klasy 100, które spełnia standardy czystości odpowiednie dla półprzewodników.

Taca grafitowa pokryta SiC, wykonana z wysokiej czystości grafitu o niskiej zawartości zanieczyszczeń i materiałów SiC, ma doskonałą przewodność cieplną i niski współczynnik rozszerzalności cieplnej. Umożliwia nie tylko tacce grafitowej pokrytej SiC szybkie i równomierne przenoszenie ciepła, co poprawia jakość wzrostu warstwy epitaksjalnej, ale także skutecznie zmniejsza ryzyko zrzucania lub pękania powłoki z powodu naprężeń termicznych. Ponadto jednolita i gęsta powłoka SiC jest odporna na wysokie temperatury, utlenianie i korozję, zapewniając stabilną pracę przez długi czas w warunkach wysokiej temperatury i gazów korozyjnych.

Taca grafitowa pokryta SiC ma wyższą kompatybilność ze sprzętem do chemicznego osadzania metaloorganicznego z fazy gazowej (MOCVD). Został on starannie zwymiarowany i zaprojektowany tak, aby dostosować się do różnych parametrów procesu i wymagań sprzętowych. Semicorex zawsze kładzie nacisk na oferowanie naszym cenionym klientom profesjonalnie dostosowanych usług, aby precyzyjnie spełnić ich wymagania dotyczące różnych rozmiarów, grubości powłoki i chropowatości powierzchni tacki grafitowej pokrytej SiC.