Łopatki SiC

Łopatki Semicorex SiC są „nośnikami” płytek, przenoszącymi je do pieców o temperaturze przekraczającej 1000 stopni Celsjusza. To jest ich kluczowa zaleta: wysoka czystość, stabilność w wysokiej temperaturze, aby zachować sztywność mechaniczną podczas transportu próbki w ekstremalnych warunkach. Materiały o wysokiej czystości skutecznie zapobiegają zanieczyszczeniu płytki przez zanieczyszczenia metalowe; podobnie jak stabilność w wysokiej temperaturzewęglik krzemu, ponieważ zachowa stabilność chemiczną w temperaturach przetwarzania, które uniemożliwiają odgazowanie zanieczyszczeń metalicznych lub cząstek stałych zanieczyszczających wafel, zapewniając stabilną wydajność wafla. W końcu,łopatki wspornikowesą również kompatybilne ze zintegrowanymi systemami transferu płytek, co jeszcze bardziej zmniejsza zależność od człowieka i zwiększa przepustowość.

Łopatki SiC to unikalny element nośnika, przeznaczony szczególnie do transportu i integracji płytek półprzewodnikowych z wsadem w procesach takich jak między innymi utlenianie i dyfuzja w wysokiej temperaturze. Wykonane z dużą czystościąwęglik krzemu (SiC)Łopatki SiC zapewniają stabilność termiczną, wytrzymałość mechaniczną i trwałość chemiczną, aby zapewnić stabilny transport powyżej temperatur 1000 ° C. Łopatki SiC są wymagane do przetwarzania płytek: zapewniają odpowiednią obsługę delikatnych substratów przy jednoczesnym zachowaniu integralności i konsystencji w całym procesie utleniania, dyfuzji i wyżarzania.

Integralność mechaniczna związana z łopatkami SiC zapewnia również wartość w procesach przenoszenia. Wspornikowa forma konstrukcyjna wymaga materiału, który wytrzymuje ciężar stosów warstw i nie ugina się ani nie zwisa. Bardzo wysoki moduł węglika krzemu i bardzo wysoka twardość sprawiają, że należy go uwzględnić ze względu na wymagane mechaniczne funkcje strukturalne. Łopatka SiC zachowuje zarówno płaskość, jak i strukturę nawet obciążona płytkami. Oznacza to stałą kontrolę pieca i jego warunków podczas długich okresów produkcyjnych.

Stabilność termiczną łopatek SiC uzupełnia ich doskonała odporność chemiczna na reaktywne gazy, które zwykle pojawiają się w procesach utleniania i dyfuzji (np. tlen, chlor i inne agresywne związki w wysokiej temperaturze). Wiele materiałów ulegnie zniszczeniu lub zanieczyszczeniu pod wpływem wysokiej temperatury i tlenu. Węglik krzemu jest chemicznie obojętny, a jego gęsta mikrostruktura gwarantuje, że nie zajdą reakcje chemiczne, zapewniając zarówno integralność strukturalną łopatki, jak i czyste środowisko dla płytki. Wynikające z tego ryzyko zanieczyszczenia jest ograniczone do minimum w przypadku producentów półprzewodników, którzy działają w niektórych z najbardziej zaawansowanych węzłów procesowych, w przypadku których nawet śladowe pierwiastki zanieczyszczeń mogą powodować znaczące zmiany w działaniu urządzenia.

Integralność mechaniczna związana z łopatkami SiC zapewnia również wartość w procesach przenoszenia. Wspornikowa forma konstrukcyjna wymaga materiału, który wytrzymuje ciężar stosów warstw i nie ugina się ani nie zwisa. Bardzo wysoki moduł węglika krzemu i bardzo wysoka twardość sprawiają, że należy go uwzględnić ze względu na wymagane mechaniczne funkcje strukturalne. Łopatka SiC zachowuje zarówno płaskość, jak i strukturę nawet obciążona płytkami. Oznacza to stałą kontrolę pieca i jego warunków podczas długich okresów produkcyjnych.