Głowica prysznicowa SiC

Głowica prysznicowa Semicorex SiC jest niezbędnym elementem procesu wzrostu epitaksjalnego, specjalnie zaprojektowana w celu zwiększenia jednorodności i wydajności osadzania cienkich warstw na płytkach półprzewodnikowych. Głowica prysznicowa SiC jest wykonana z węglika krzemu (SiC). Znana ze swojej wyjątkowej przewodności cieplnej, wytrzymałości mechanicznej i odporności chemicznej, ta głowica prysznicowa SiC zapewnia optymalną wydajność w środowiskach o wysokiej temperaturze i korozyjnych typowych dla reaktorów epitaksjalnych.

Kształt głowicy prysznicowej SiC został starannie zaprojektowany, aby ułatwić równomierne rozprowadzanie gazów prekursorowych na powierzchni płytki. Szereg precyzyjnie wywierconych otworów pozwala na kontrolowany i spójny przepływ, co ma kluczowe znaczenie dla uzyskania wysokiej jakości warstw epitaksjalnych o jednolitej grubości i składzie. Taka konstrukcja minimalizuje reakcje w fazie gazowej i powstawanie cząstek, przyczyniając się do doskonałej wydajności płytek i wydajności urządzenia.

Idealna do stosowania zarówno w badaniach, jak i w produkcji na dużą skalę, głowica prysznicowa SiC wyróżnia się trwałością i niezawodnością, znacznie redukując przestoje konserwacyjne i koszty operacyjne. Jego kompatybilność z różnymi procesami epitaksjalnymi, w tym chemicznym osadzaniem z fazy gazowej (CVD), czyni go wszechstronnym i nieocenionym atutem w branży produkcji półprzewodników.