Jeśli potrzebujesz susceptora grafitowego, który może działać niezawodnie i konsekwentnie nawet w najbardziej wymagających środowiskach o wysokiej temperaturze i korozyjności, susceptor baryłkowy Semicorex do epitaksji fazy ciekłej jest idealnym wyborem. Powłoka z węglika krzemu zapewnia doskonałą przewodność cieplną i dystrybucję ciepła, zapewniając wyjątkową wydajność w zastosowaniach związanych z produkcją półprzewodników.
Susceptor baryłkowy Semicorex do epitaksji w fazie ciekłej to doskonały wybór do zastosowań w produkcji półprzewodników, które wymagają wysokiej odporności na ciepło i korozję. Powłoka SiC o wysokiej czystości i wyjątkowa przewodność cieplna zapewniają doskonałą ochronę i właściwości rozprowadzania ciepła, zapewniając niezawodną i stałą wydajność nawet w najbardziej wymagających warunkach.
Nasz susceptor beczkowy do epitaksji w fazie ciekłej został zaprojektowany w celu uzyskania najlepszego laminarnego przepływu gazu, zapewniając równomierność profilu termicznego. Pomaga to zapobiegać zanieczyszczeniom lub dyfuzji zanieczyszczeń, zapewniając wysokiej jakości wzrost epitaksjalny na chipie waflowym.
Skontaktuj się z nami już dziś, aby dowiedzieć się więcej na temat naszego susceptora beczkowego do epitaksji w fazie ciekłej.
Parametry susceptora beczkowego do epitaksji w fazie ciekłej
Główne specyfikacje powłoki CVD-SIC |
||
Właściwości SiC-CVD |
||
Struktura kryształu |
Faza β FCC |
|
Gęstość |
g/cm³ |
3.21 |
Twardość |
Twardość Vickersa |
2500 |
Rozmiar ziarna |
um |
2 ~ 10 |
Czystość chemiczna |
% |
99.99995 |
Pojemność cieplna |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura sublimacji |
℃ |
2700 |
Siła Felexuralna |
MPa (RT 4-punktowy) |
415 |
Moduł Younga |
Gpa (4-punktowe zagięcie, 1300℃) |
430 |
Rozszerzalność cieplna (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Przewodność cieplna |
(W/mK) |
300 |
Cechy susceptora beczkowego do epitaksji w fazie ciekłej
- Zarówno podłoże grafitowe, jak i warstwa węglika krzemu mają dobrą gęstość i mogą odgrywać dobrą rolę ochronną w wysokich temperaturach i korozyjnych środowiskach pracy.
- Susceptor pokryty węglikiem krzemu stosowany do wzrostu monokryształów ma bardzo wysoką płaskość powierzchni.
- Zmniejsz różnicę współczynnika rozszerzalności cieplnej pomiędzy podłożem grafitowym a warstwą węglika krzemu, skutecznie poprawiaj siłę wiązania, aby zapobiec pękaniu i rozwarstwianiu.
- Zarówno podłoże grafitowe, jak i warstwa węglika krzemu mają wysoką przewodność cieplną i doskonałe właściwości rozprowadzania ciepła.
- Wysoka temperatura topnienia, odporność na utlenianie w wysokiej temperaturze, odporność na korozję.