Receptor Epi-SiC

Susceptor Semicorex Epi-SiC, będący połączeniem wytrzymałości na wysokie temperatury, obojętności chemicznej i doskonałej dyfuzji cieplnej, stanowi wzór odporności i wydajności w obliczu intensywnych warunków, które są synonimem wysiłków związanych ze wzrostem epitaksjalnym. Zastosowanie powłoki SiC znacznie zwiększa właściwości termiczne susceptora Epi-SiC. To ulepszenie ułatwia równomierny rozkład ciepła niezbędny do nagrzewania płytek, co ma kluczowe znaczenie dla osadzania spójnych, wysokiej jakości warstw epitaksjalnych na płytkach półprzewodnikowych.

Dostosowany do rygorystycznych wymagań procesów epitaksjalnych płytek, Susceptor Epi-SiC zapewnia płynny transport płytek w środowisku pieca. Jego solidna konstrukcja stanowi zabezpieczenie przed przemieszczaniem się płytek lub kompromisem, ograniczając w ten sposób występowanie uszkodzeń na krytycznych etapach rozwoju warstwy epitaksjalnej. Dodatkowo susceptor Epi-SiC działa jak bariera ochronna dla znajdującego się pod nim podłoża grafitowego, chroniąc je przed interakcjami chemicznymi i ścieraniem, które mogą wywołać procesy epitaksjalne.

Połączenie sprężystego rdzenia grafitowego z ochronną powłoką SiC nie tylko poprawia parametry wydajności susceptora Epi-SiC, ale także znacznie wydłuża jego żywotność. Rezultatem jest inwestycja, która przynosi dywidendy w postaci trwałych oszczędności operacyjnych dla przedsiębiorstw produkujących półprzewodniki, co pozycjonuje Susceptor Epi-SiC jako rozsądny wybór dla tych, którzy chcą zoptymalizować swoje operacje produkcyjne.