- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Aktualności
Jakie są zalety i wady trawienia na sucho i na mokro?
Trawienie jest niezbędnym procesem w produkcji półprzewodników. Proces ten można podzielić na dwa typy: trawienie na sucho i trawienie na mokro. Każda technika ma swoje zalety i ograniczenia, dlatego istotne jest zrozumienie różnic między nimi. Jak zatem wybrać najlepszą metodę trawienia? Jakie są z......
Czytaj więcej
Materiał rdzenia do wzrostu SiC: powłoka z węglika tantalu
Obecne półprzewodniki trzeciej generacji opierają się głównie na węgliku krzemu, przy czym podłoża stanowią 47% kosztów urządzeń, a epitaksja stanowi 23%, co stanowi łącznie około 70% i stanowi najważniejszą część branży produkcji urządzeń SiC.
Czytaj więcej
Wyzwania technologii implantacji jonów w urządzeniach zasilających SiC i GaN
Oczekuje się, że półprzewodniki o szerokim paśmie wzbronionym (WBG), takie jak węglik krzemu (SiC) i azotek galu (GaN), będą odgrywać coraz ważniejszą rolę w urządzeniach energoelektronicznych. Oferują kilka zalet w porównaniu z tradycyjnymi urządzeniami krzemowymi (Si), w tym wyższą wydajność, gęst......
Czytaj więcej
