- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Aktualności
Metody wzrostu kryształów AlN
AlN, jako materiał półprzewodnikowy trzeciej generacji, jest nie tylko ważnym materiałem emitującym światło niebieskie i ultrafioletowe, ale także ważnym materiałem opakowaniowym, izolacyjnym i izolacyjnym do urządzeń elektronicznych i układów scalonych, szczególnie odpowiednim do urządzeń wysokotem......
Czytaj więcej
Tygiel z powłoką TaC do wzrostu kryształów AlN
Trzecia generacja materiałów półprzewodnikowych AlN należy do półprzewodników z bezpośrednią przerwą wzbronioną, jej szerokość pasma wynosi 6,2 eV, o wysokiej przewodności cieplnej, oporności, natężeniu pola przebicia, a także doskonałej stabilności chemicznej i termicznej, to nie tylko ważne światł......
Czytaj więcej
Powłoki z węglika tantalu w przemyśle półprzewodników
Rozwój diod LED o dużej mocy w kolorze niebieskim i UV umożliwił stworzenie pełnokolorowych wyświetlaczy telewizyjnych LED, a także białego oświetlenia LED samochodowego i domowego. Te diody LED oparte są na azotku galu, który jest osadzany na płytkach podłoża wspartych na susceptorze grafitowym pok......
Czytaj więcej
