- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Aktualności
Piec do wzrostu kryształów węglika krzemu (SiC).
Wzrost kryształów jest podstawowym ogniwem w produkcji podłoży z węglika krzemu, a podstawowym wyposażeniem jest piec do wzrostu kryształów. Podobnie jak w przypadku tradycyjnych pieców do wzrostu kryształów na bazie krzemu krystalicznego, konstrukcja pieca nie jest bardzo złożona i składa się główn......
Czytaj więcej
Wyzwania związane z zastosowaniem i rozwojem komponentów grafitowych pokrytych TaC
Materiały półprzewodnikowe o szerokim paśmie wzbronionym trzeciej generacji, takie jak azotek galu (GaN) i węglik krzemu (SiC), słyną z wyjątkowych możliwości konwersji optoelektronicznej i transmisji sygnału mikrofalowego. Materiały te spełniają rygorystyczne wymagania urządzeń elektronicznych o wy......
Czytaj więcej
Zastosowania węglika krzemu
Węglik krzemu ma wiele zastosowań w gałęziach przemysłu wschodzących i tradycyjnych. Obecnie światowy rynek półprzewodników przekroczył 100 miliardów juanów. Oczekuje się, że do 2025 r. globalna sprzedaż materiałów do produkcji półprzewodników osiągnie 39,5 miliarda dolarów amerykańskich, z czego oc......
Czytaj więcej
Co to jest łódź SiC i jakie są jej różne procesy produkcyjne?
Łódka SiC, skrót od łodzi z węglika krzemu, to odporne na wysokie temperatury akcesorium stosowane w rurach pieca do przenoszenia płytek podczas obróbki w wysokiej temperaturze. Ze względu na wyjątkowe właściwości węglika krzemu, takie jak odporność na wysokie temperatury, korozję chemiczną i doskon......
Czytaj więcej
Wprowadzenie do procesu implantacji i wyżarzania jonów węglika krzemu
W tradycyjnym wytwarzaniu krzemowych urządzeń zasilających dyfuzja w wysokiej temperaturze i implantacja jonów są podstawowymi metodami kontroli domieszek, a każda z nich ma swoje zalety i wady. Zazwyczaj dyfuzja w wysokiej temperaturze charakteryzuje się prostotą, opłacalnością, izotropowymi profil......
Czytaj więcej
