- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Aktualności
Przedstawiamy podstawową technologię łodzi grafitowej
Graphite Boat stoi na czele innowacji technologicznych w swojej branży, oferując zestaw przełomowych udoskonaleń mających na celu poprawę wydajności, czystości i żywotności. Poniżej zagłębiamy się w podstawowe technologie, które definiują doskonałość łodzi grafitowych:
Czytaj więcej
Porowaty grafit do wysokiej jakości wzrostu kryształów SiC metodą PVT
Węglik krzemu (SiC) stał się kluczowym materiałem w dziedzinie technologii półprzewodników, oferującym wyjątkowe właściwości, które czynią go wysoce pożądanym w różnych zastosowaniach elektronicznych i optoelektronicznych. Produkcja wysokiej jakości monokryształów SiC ma kluczowe znaczenie dla zwięk......
Czytaj więcej
3 metody formowania grafitu
Cztery główne metody formowania grafitu to: wytłaczanie, formowanie, formowanie wibracyjne i formowanie izostatyczne. Większość popularnych materiałów węglowych/grafitowych dostępnych na rynku jest formowana poprzez wytłaczanie i formowanie na gorąco (na zimno lub na gorąco), a formowanie izostatycz......
Czytaj więcej
Co to jest grafit izostatyczny?
Grafit specjalny to grafit o ułamku masowym węgla większym niż 99,99%, znany również jako „grafit trójwysokowy” (wysoka wytrzymałość, wysoka gęstość, wysoka czystość). Charakteryzuje się wysoką wytrzymałością, dużą gęstością, wysoką czystością, wysoką stabilnością chemiczną, wysoką przewodnością cie......
Czytaj więcej
Przedstawiamy fizyczny transport pary (PVT)
Własne cechy SiC decydują o tym, że wzrost jego monokryształów jest trudniejszy. Ze względu na brak fazy ciekłej Si:C=1:1 pod ciśnieniem atmosferycznym, bardziej dojrzały proces wzrostu przyjęty przez główny nurt przemysłu półprzewodników nie może być wykorzystany do uprawy bardziej dojrzałą metodą ......
Czytaj więcej
Wprowadzono na rynek produkty epitaksjalne GaN HEMT o dużej mocy 850 V
W listopadzie 2023 r. firma Semicorex wypuściła na rynek produkty epitaksjalne GaN-on-Si o napięciu 850 V do zastosowań w wysokonapięciowych i wysokoprądowych urządzeniach zasilających HEMT. W porównaniu z innymi podłożami do urządzeń zasilających HMET, GaN-on-Si umożliwia większe rozmiary płytek i ......
Czytaj więcej
