Chemiczne osadzanie z fazy gazowej (CVD) to wszechstronna technika osadzania cienkowarstwowego, szeroko stosowana w przemyśle półprzewodników do wytwarzania wysokiej jakości cienkich warstw konforemnych na różnych podłożach. Proces ten polega na reakcjach chemicznych prekursorów gazowych na podgrzan......
Czytaj więcejW tym artykule omówiono wykorzystanie i przyszłą trajektorię łodzi z węglika krzemu (SiC) w porównaniu z łodziami kwarcowymi w przemyśle półprzewodników, szczególnie koncentrując się na ich zastosowaniach w produkcji ogniw słonecznych.
Czytaj więcejEpitaksjalny wzrost płytek azotku galu (GaN) to złożony proces, często wykorzystujący metodę dwuetapową. Metoda ta obejmuje kilka krytycznych etapów, w tym wypalanie w wysokiej temperaturze, wzrost warstwy buforowej, rekrystalizację i wyżarzanie. Dzięki skrupulatnej kontroli temperatury na tych etap......
Czytaj więcejZarówno płytki epitaksjalne, jak i płytki rozproszone są niezbędnymi materiałami w produkcji półprzewodników, różnią się jednak znacznie procesami wytwarzania i docelowymi zastosowaniami. W tym artykule omówiono kluczowe różnice między tymi typami płytek.
Czytaj więcejTrawienie jest niezbędnym procesem w produkcji półprzewodników. Proces ten można podzielić na dwa typy: trawienie na sucho i trawienie na mokro. Każda technika ma swoje zalety i ograniczenia, dlatego istotne jest zrozumienie różnic między nimi. Jak zatem wybrać najlepszą metodę trawienia? Jakie są z......
Czytaj więcejObecne półprzewodniki trzeciej generacji opierają się głównie na węgliku krzemu, przy czym podłoża stanowią 47% kosztów urządzeń, a epitaksja stanowi 23%, co stanowi łącznie około 70% i stanowi najważniejszą część branży produkcji urządzeń SiC.
Czytaj więcej