Grube warstwy węglika krzemu (SiC) o wysokiej czystości, zwykle przekraczające 1 mm, są krytycznymi komponentami w różnych zastosowaniach o dużej wartości, w tym w produkcji półprzewodników i technologiach lotniczych. W tym artykule szczegółowo opisano proces chemicznego osadzania z fazy gazowej (CV......
Czytaj więcejChemiczne osadzanie z fazy gazowej (CVD) to wszechstronna technika osadzania cienkowarstwowego, szeroko stosowana w przemyśle półprzewodników do wytwarzania wysokiej jakości cienkich warstw konforemnych na różnych podłożach. Proces ten polega na reakcjach chemicznych prekursorów gazowych na podgrzan......
Czytaj więcejW tym artykule omówiono wykorzystanie i przyszłą trajektorię łodzi z węglika krzemu (SiC) w porównaniu z łodziami kwarcowymi w przemyśle półprzewodników, szczególnie koncentrując się na ich zastosowaniach w produkcji ogniw słonecznych.
Czytaj więcejEpitaksjalny wzrost płytek azotku galu (GaN) to złożony proces, często wykorzystujący metodę dwuetapową. Metoda ta obejmuje kilka krytycznych etapów, w tym wypalanie w wysokiej temperaturze, wzrost warstwy buforowej, rekrystalizację i wyżarzanie. Dzięki skrupulatnej kontroli temperatury na tych etap......
Czytaj więcejZarówno płytki epitaksjalne, jak i płytki rozproszone są niezbędnymi materiałami w produkcji półprzewodników, różnią się jednak znacznie procesami wytwarzania i docelowymi zastosowaniami. W tym artykule omówiono kluczowe różnice między tymi typami płytek.
Czytaj więcejTrawienie jest niezbędnym procesem w produkcji półprzewodników. Proces ten można podzielić na dwa typy: trawienie na sucho i trawienie na mokro. Każda technika ma swoje zalety i ograniczenia, dlatego istotne jest zrozumienie różnic między nimi. Jak zatem wybrać najlepszą metodę trawienia? Jakie są z......
Czytaj więcej