Epitaksjalny wzrost płytek azotku galu (GaN) to złożony proces, często wykorzystujący metodę dwuetapową. Metoda ta obejmuje kilka krytycznych etapów, w tym wypalanie w wysokiej temperaturze, wzrost warstwy buforowej, rekrystalizację i wyżarzanie. Dzięki skrupulatnej kontroli temperatury na tych etap......
Czytaj więcejZarówno płytki epitaksjalne, jak i płytki rozproszone są niezbędnymi materiałami w produkcji półprzewodników, różnią się jednak znacznie procesami wytwarzania i docelowymi zastosowaniami. W tym artykule omówiono kluczowe różnice między tymi typami płytek.
Czytaj więcejTrawienie jest niezbędnym procesem w produkcji półprzewodników. Proces ten można podzielić na dwa typy: trawienie na sucho i trawienie na mokro. Każda technika ma swoje zalety i ograniczenia, dlatego istotne jest zrozumienie różnic między nimi. Jak zatem wybrać najlepszą metodę trawienia? Jakie są z......
Czytaj więcejObecne półprzewodniki trzeciej generacji opierają się głównie na węgliku krzemu, przy czym podłoża stanowią 47% kosztów urządzeń, a epitaksja stanowi 23%, co stanowi łącznie około 70% i stanowi najważniejszą część branży produkcji urządzeń SiC.
Czytaj więcejCeramika z węglika krzemu oferuje wiele zalet w branży światłowodów, w tym stabilność w wysokiej temperaturze, niski współczynnik rozszerzalności cieplnej, niski próg strat i uszkodzeń, wytrzymałość mechaniczną, odporność na korozję, dobrą przewodność cieplną i niską stałą dielektryczną. Te właściwo......
Czytaj więcejHistoria węglika krzemu (SiC) sięga 1891 roku, kiedy to Edward Goodrich Acheson przypadkowo odkrył go podczas próby syntezy sztucznych diamentów. Acheson podgrzewał mieszaninę gliny (glinokrzemianu) i sproszkowanego koksu (węgla) w piecu elektrycznym. Zamiast oczekiwanych diamentów otrzymał jasnozie......
Czytaj więcej