Płyta satelitarna

Płytka satelitarna półkorowata jest istotnym nośnikiem płytki podczas procesu wzrostu epitaksjalnego, gwarantującym jednolite osadzanie się i optymalną wydajność procesu. Zbudowana z grafitu o dużej czystości i powleczona solidną warstwą węgla krzemu (SIC), ta płyta zapewnia wyjątkową stabilność termiczną, odporność chemiczną i wytrzymałość mechaniczną, umacniając jego pozycję jako niezbędny składnik w produkcji półprzewodników o wysokiej wydajności.

Z podstawą grafitu o wysokiej czystości płyta satelitarna wyróżnia się przewodnością cieplną i integralnością strukturalną. .Powłoka sicZnacząco zwiększa jego trwałość, zapewniając oporność o wysokiej temperaturze, bezwładność chemiczną i dramatycznie zmniejszając wytwarzanie cząstek. Ta potężna kombinacja zapewnia, że ​​płyta wytrzymuje surowe warunki przetwarzania, jednocześnie konsekwentnie działając na wysokim poziomie. Baza grafitowa ułatwia wydajne przenoszenie ciepła, zapewniając jednolity rozkład temperatury przez wafel, podczas gdy powłoka SIC chroni przed żonorowymi gazami procesowymi, zapobiegając zanieczyszczeniu i rozszerzając żywotność usług. Dodatkowo powierzchnia SIC minimalizuje uwalnianie cząstek, co ma kluczowe znaczenie dla osiągnięcia wytwarzania półprzewodników o wysokiej wydajności.

Zaprojektowany specjalnie do bezproblemowej integracji z systemami AIXtron G5+, płyta satelitarna gwarantuje precyzyjne pozycjonowanie wafla i bilans obrotowy, niezbędny do utrzymania stabilnych warunków termicznych i zmniejszenia szybkości defektów. Zaawansowany skład materiału płyty nie tylko przedłuża żywotność usług, ale także znacznie obniża koszty operacyjne i zwiększa produktywność produkcji.

Płytka satelitarna, głównie wykorzystywana w procesie organicznego organicznego osadzania pary (MOCVD), ma kluczowe znaczenie dla uprawy warstw epitaksjalnych na waflach półprzewodników. Odgrywa kluczową rolę w produkcji zaawansowanych urządzeń półprzewodników, w tym diod LED, elektroniki energetycznej SIC i GAN, komponentów fotonicznych i optoelektronicznych oraz urządzeń RF o wysokiej częstotliwości. Zapewniając stabilne warunki termiczne i minimalizując zanieczyszczenie, płyta satelitarna gwarantuje stały wzrost warstwy epitaksjalnej, co prowadzi do poprawy obsługi opłat i wyższych wskaźników plon. Jego zoptymalizowana konstrukcja zapewnia efektywnie obsługę płytki, zmniejszając wady i zapewniając precyzję na etapie przetwarzania półprzewodników.

Płytka satelitarna półkorowata służy jako niezbędny element reaktorów epitaxy AIXtron G5+, zapewniając niezrównaną trwałość, odporność chemiczną i wydajność termiczną. Jego najnowocześniejsza skład i inżynieria materiału sprawiają, że jest kluczowy dla procesu produkcji półprzewodników, zapewniając produkcję wysokiej jakości i wysokiej jakości płytek. Zainwestuj w płytkę satelitarną, aby podnieść produkcję półprzewodników i osiągnąć doskonałość w procesach wzrostu epitaksjalnego.