Dysk waflowy pokryty SiC

Dysk waflowy pokryty Semicorex SiC stanowi wiodący postęp w technologii produkcji półprzewodników, odgrywając zasadniczą rolę w złożonym procesie wytwarzania półprzewodników. Zaprojektowany z niezwykłą precyzją, dysk ten jest wykonany z najwyższej jakości grafitu pokrytego SiC, zapewniając wyjątkową wydajność i trwałość w zastosowaniach epitaksji krzemowej. W firmie Semicorex zajmujemy się produkcją i dostarczaniem wysokowydajnych dysków waflowych pokrytych SiC, które łączą jakość z opłacalnością.

Wyślij zapytanie

Opis produktu

Podstawą dysku waflowego pokrytego Semicorex SiC jest wysokiej jakości grafit, fachowo pokryty metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD) SiC. Ta zaawansowana konstrukcja zapewnia wyjątkową odporność na szoki termiczne i degradację chemiczną, znacznie wydłużając żywotność dysku waflowego pokrytego SiC i zapewniając niezawodne działanie w całym procesie wytwarzania półprzewodników.

Warto zauważyć, że dysk waflowy pokryty SiC wyróżnia się przewodnością cieplną, która ma kluczowe znaczenie dla efektywnego rozpraszania ciepła podczas produkcji półprzewodników. Ta cecha minimalizuje gradienty termiczne na powierzchni płytki, zapewniając równomierny rozkład temperatury niezbędny do osiągnięcia pożądanych właściwości półprzewodnika.

Powłoka SiC zapewnia solidną ochronę przed korozją chemiczną i szokiem termicznym, utrzymując integralność tarczy waflowej pokrytej SiC nawet w trudnych warunkach procesowych. Ta zwiększona trwałość skutkuje dłuższą żywotnością operacyjną i krótszymi przestojami, przyczyniając się do zwiększonej produktywności i efektywności kosztowej w zakładach produkujących półprzewodniki.

Co więcej, dysk waflowy pokryty SiC można dostosować do konkretnych wymagań i preferencji. Zapewniamy opcje dostosowywania, począwszy od dostosowania rozmiaru po zmiany grubości powłoki, co pozwala na elastyczność projektowania, która optymalizuje wydajność w różnych zastosowaniach i parametrach procesu.