Susceptory Epi-Wafer SiC

Nie da się wyprodukować półprzewodników o szerokiej przerwie energetycznej (WBG) – niezbędnych dla rewolucji pojazdów elektrycznych (EV) i 5G – bez ustalenia idealnych właściwości materiału poprzez wzrost epitaksjalny. Susceptory Semicorex SiC Epi-Wafer zostały zaprojektowane do stosowania jako podkład (termiczny/strukturalny) dla epitaksji SiC i GaN. Połączeniegrafit izostatyczny(doskonała przewodność cieplna) z węglikiem krzemu osadzanym chemicznie z fazy gazowej (CVD) (ekstremalna odporność chemiczna) pozwala uzyskać zestaw procesowy, który pozwala na największą możliwą wydajność i powtarzalność.

Inżynieria „idealnego” środowiska termicznego

Aby osiągnąć odpowiednie temperatury wzrostu epitaksjalnego (ponad 1500°C) w atmosferze nasyconej reaktywnymi i korozyjnymi gazami prekursorowymi, konwencjonalny nośnik grafitowy uległby degradacji pod wpływem ekspozycji, a zatem zanieczyściłby płytkę. Jednakże susceptory Epi-Wafer SiC opracowane przez firmę Semicorex osiągnęły rozwiązanie poprzez zaawansowaną integrację materiałów, aby zapewnić procesowi epitaksji stabilną podstawę przez tysiące godzin procesu.

1. Doskonała jednorodność termiczna

Podstawową rolą susceptora jest działanie jako rozpraszacz ciepła. Nasz izostatyczny rdzeń grafitowy o wysokiej czystości zapewnia jednolite pole termiczne na całej powierzchni płytki. Minimalizuje to „gorące punkty”, które powodują różnice w grubości epiwarstwy i stężeniu domieszki. W świecie energoelektroniki, gdzie najważniejsza jest spójność RDS(on), nasze susceptory zapewniają precyzję termiczną wymaganą dla jednorodności submikronowej.

2. Hermetyczna kapsułka CVD SiC

Wykorzystujemy najnowocześniejszy proces CVD do nakładania gęstej, ultraczystej powłoki z węglika krzemu. Ta warstwa to nie tylko pokrycie; jest to hermetyczna uszczelka.

Tłumienie cząstek: Powłoka zapobiega „pyleniu” lub odgazowywaniu zanieczyszczeń, takich jak bor lub ślady metali, do komory reakcyjnej podłoża grafitowego.

Obojętność chemiczna: naszaPowłoka SiCjest odporny na trawienie H2, HCl i amoniakiem (NH3), które jest powszechne w reaktorach epitaksji MOCVD i SiC.

3. Precyzyjne dopasowanie CTE

Jednym z najczęstszych punktów awarii powlekanego sprzętu jest rozwarstwianie spowodowane cyklami termicznymi. Specjalnie wybieramy gatunki grafitu o współczynniku rozszerzalności cieplnej (CTE), który jest doskonale zsynchronizowany zPowłoka SiC. Ta „harmonia rozszerzania” pozwala susceptorom Epi-Wafer SiC wytrzymywać szybkie cykle narastania i opadania bez pękania i łuszczenia, wydłużając żywotność komponentu nawet o 300% w porównaniu z alternatywnymi standardami branżowymi.

Zoptymalizowany dla platform Global Reactor

Nasz zespół inżynierów ma duże doświadczenie w projektowaniu susceptorów dla konfiguracji reaktorów poziomych i pionowych. Zapewniamy zamienniki typu drop-in i rozwiązania zaprojektowane na zamówienie dla wiodących w branży systemów OEM (w tym platform AIXTRON, Veeco i Tokyo Electron).

Niezależnie od tego, czy używasz reaktora planetarnego, czy narzędzia jednopłytkowego, nasze susceptory są zoptymalizowane pod kątem:

Dynamika przepływu gazu:Precyzyjnie obrobione kieszenie zapewniają laminarny przepływ przez płytkę.

Obrót wafla:Zoptymalizowany stosunek masy do tarcia zapewniający stabilną, dużą prędkość obrotową podczas wzrostu.

Zautomatyzowana obsługa:Wzmocnione krawędzie wytrzymują naprężenia mechaniczne podczas automatycznego przenoszenia płytek.