Górna pół księżyca

Półkorowska górna pół księżyca jest półkolistym przewoźnikiem płytki skrupulatnie zaprojektowanej do urządzeń do przetwarzania epitaksjalnego. Jako krytyczny składnik podatności w procesie wzrostu epitaxialnego, ta część jest zaprojektowana do wspierania i stabilizacji płytek krzemu podczas wysokotemperaturowego osadzania pary chemicznej (CVD). Wyprodukowane z grafitu o dużej czystości i chronione z jednolitą powłoką węgla krzemowego (SIC), górna pół księżyca łączy wytrzymałość mechaniczną, doskonałą przewodność cieplną i wyjątkową odporność na korozję, aby zaspokoić wymagania o wysokiej precyzji epitaksji.

Ten produkt wywodzi swoją nazwę od wyraźnej geometrii półksiężycowej, która jest specjalnie zbudowana dla określonych platform obrotowych w reaktorach epitaksjalnych z pojedynczym ważewem lub wieloma falami. Jego unikalny kształt nie tylko ułatwia jednolity przepływ gazu i rozkład termiczny, ale także umożliwia łatwą integrację z istniejącymi zespołami ogrzewania i obrotu. Półokrągłe konstrukcja zapewnia optymalne pozycjonowanie opłat, minimalizuje naprężenie termiczne i odgrywa kluczową rolę w osiąganiu jednolitej grubości folii epitaksjalnej na całej powierzchni opłat.

Produkt górnej półksiężyca zawiera substrat ultra-fine grafitu ze względu na połączone korzyści wydajności stabilnej ultra-fine struktura w wyjątkowo wysokich temperaturach w połączeniu z odpornością na awarię w powtarzanych przebieżach. Aby przedłużyć stosowanie, zastosowano powłokę SIC o wysokiej czystości za pomocą technologii chemicznej osadzania pary, izolując podłoże grafitowe od HCl, Cl₂, Silan i innych gasów procesowych. Niezależnie od tego, powłoka SIC promuje bardziej trwały i bardziej przedłużający się żywotność zarówno na produkt górnej pół księżyca, jak i części w jego całości, jednocześnie zmniejszając zanieczyszczenie środowiska opłat, ostatecznie przynosząc korzyści z wydajności procesu i jakości filmu.

Wykończenie powierzchni warstwy SIC zostało określone i jest płaskie lub gładkie w celu promowania stałego przenoszenia ciepła do podłoża i stałego tworzenia folii. Ponadto powłoka SIC poprawia oporność składników na wytwarzanie cząstek stałych, co jest kluczowym czynnikiem wrażliwych na defekt zastosowań półprzewodników. Parametry wydajności, w tym bardzo niskie outgassing i bardzo niskie odkształcenie powyżej 1200 ° C, zapewnia skuteczne komponenty dla bardzo długich cykli eksploatacyjnych, zmniejszając czas przestoju systemu i koszty utrzymania.

Semicorex Górna pół księżyca nie ma żadnych w odniesieniu do tolerancji, jednolitości powlekania i wyboru materiału. Utrzymujemy ścisłą kontrolę jakości na każdym etapie, od obróbki grafitowej, do osadzania powłok SIC i końcowej kontroli, zapewniając, że każda jednostka spełnia rygorystyczne standardy wymagane ze sprzętu półprzewodnikowego. Ponadto uznaje się, że nasze doświadczenie w dostosowywaniu geometrii, grubości i zabiegów powierzchniowych są stosowane do prawie wszystkich form platform epitaksji.

Górna połowa księżyca jest niezwykle ważna dla stabilności opłat, jednolitości termicznej i kontroli zanieczyszczenia krzemowej lub złożonej epitaksji półprzewodnikowej. W związku z tym Semicorex wykorzystuje niezrównaną wiedzę specjalistyczną, technologię materialną i spójność produkcji, aby osiągnąć oczekiwania klientów wobec niezawodnych, wysokowydajnych elementów podatnych.