Epitaksjalna płyta Si z monokrystalicznego krzemu

Epitaksjalna płyta z monokrystalicznego krzemu zapewnia szczyt wyrafinowania, trwałości i niezawodności w zastosowaniach związanych z epitaksją grafitową i manipulacją płytkami. Wyróżnia się gęstością, płaskością i możliwościami zarządzania temperaturą, co pozycjonuje go jako optymalny wybór dla rygorystycznych warunków operacyjnych. Zaangażowanie firmy Semicorex w wiodącą na rynku jakość w połączeniu z konkurencyjnymi względami fiskalnymi cementuje naszą chęć nawiązania partnerstwa w celu spełnienia wymagań dotyczących transportu płytek półprzewodnikowych.

Wyślij zapytanie

Opis produktu

Najważniejszą cechą epitaksjalnej monokrystalicznej płyty Si jest jej doskonała gęstość. Integracja podłoża grafitowego z powłoką z węglika krzemu zapewnia kompleksową gęstość, która jest skuteczna w ekranowaniu w rygorystycznych warunkach spotykanych w środowiskach o wysokiej temperaturze i korozyjnym. Co więcej, susceptor pokryty węglikiem krzemu, dostosowany do syntezy monokryształów, może pochwalić się wyjątkowo równym profilem powierzchni – co jest krytycznym wyznacznikiem trwałej produkcji płytek o nienagannej jakości.

Równie istotne dla projektu naszego produktu jest łagodzenie rozbieżności w rozszerzalności cieplnej pomiędzy rdzeniem grafitowym a powłoką z węglika krzemu. Taka innowacja znacznie zwiększa wytrzymałość kleju, omijając w ten sposób zjawisko pęknięć i rozwarstwienia. W związku z tym epitaksjalna płyta Si z pojedynczego kryształu wykazuje podwyższoną przewodność cieplną w połączeniu z godną pochwały skłonnością do równomiernego rozprowadzania ciepła – czynniki, które odgrywają zasadniczą rolę w osiągnięciu jednorodności temperatury podczas cyklu produkcyjnego.

Co więcej, epitaksjalna płyta z monokrystalicznego krzemu wykazuje godną pochwały odporność na degradację utleniającą i korozyjną w podwyższonych temperaturach, co stanowi podstawę jej trwałości i niezawodności. Próg wytrzymałości termicznej jest podkreślony przez znaczną temperaturę topnienia, co zapewnia jego zdolność do wytrzymania wymagającego środowiska termicznego, nieodłącznie związanego z sprawną produkcją półprzewodników