Monokrystaliczny, krzemowy susceptor Epi

Monokrystaliczny krzemowy episusceptor to istotny komponent przeznaczony do procesów epitaksji Si-GaN, który można dostosować do zindywidualizowanych specyfikacji i preferencji, zapewniając indywidualne rozwiązanie, które idealnie dopasowuje się do konkretnych wymagań. Niezależnie od tego, czy wiąże się to z modyfikacjami wymiarów, czy dostosowaniem grubości powłoki, posiadamy możliwość zaprojektowania i dostarczenia produktu, który dostosowuje się do różnych parametrów procesu, optymalizując w ten sposób wydajność dla docelowych zastosowań. Zaangażowanie firmy Semicorex w wiodącą na rynku jakość w połączeniu z konkurencyjnymi względami fiskalnymi cementuje naszą chęć nawiązania partnerstwa w celu spełnienia wymagań dotyczących transportu płytek półprzewodnikowych.

Wyślij zapytanie

Opis produktu

Susceptory w procesie wzrostu epitaksjalnego wymagają odporności na podwyższone temperatury i rygorystyczne procedury oczyszczania chemicznego. Epi Susceptor z monokrystalicznego krzemu został skrupulatnie zaprojektowany, aby sprostać szczególnie rygorystycznym wymaganiom spotykanym w zastosowaniach sprzętu do epitaksji.

Susceptory te mają konstrukcję zawierającą wysokiej czystości grafit pokryty węglikiem krzemu (SiC), który zapewnia niezrównaną odporność na ciepło, zapewniając równomierny rozkład ciepła w celu uzyskania stałej grubości i wytrzymałości warstwy epitaksji.

Dodatkowo, monokrystaliczny krzem Epi Susceptor wykazuje niezwykłą trwałość wobec agresywnych chemicznych środków czyszczących. Zastosowanie drobnej powłoki krystalicznej SiC dodatkowo przyczynia się do uzyskania nieskazitelnej, gładkiej powierzchni, co ma ogromne znaczenie dla skutecznej obsługi, ponieważ niezanieczyszczone płytki stykają się z susceptorem w wielu punktach na całej powierzchni.

Wykorzystanie monokrystalicznego krzemu Epi Susceptor zapewnia niezachwianą niezawodność i dłuższą żywotność, ograniczając potrzebę częstych wymian, a następnie minimalizując zarówno przestoje, jak i koszty konserwacji. Jego solidna konstrukcja i wyjątkowe możliwości operacyjne znacząco przyczyniają się do zwiększonej wydajności procesu, ostatecznie zwiększając produktywność i opłacalność w obszarze operacji produkcyjnych półprzewodników.