Rozwój 3C-SiC, ważnego politypu węglika krzemu, odzwierciedla ciągły postęp nauki o materiałach półprzewodnikowych. W latach 80. Nishino i in. po raz pierwszy uzyskano warstwę 3C-SiC o grubości 4 μm na podłożu krzemowym za pomocą chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD)[1], kładąc podwaliny pod te......
Czytaj więcejKrzem monokrystaliczny i krzem polikrystaliczny mają swoje unikalne zalety i możliwe scenariusze. Krzem monokrystaliczny nadaje się do wysokowydajnych produktów elektronicznych i mikroelektroniki ze względu na doskonałe właściwości elektryczne i mechaniczne. Z drugiej strony krzem polikrystaliczny d......
Czytaj więcejW procesie przygotowania płytek występują dwa zasadnicze ogniwa: jednym jest przygotowanie podłoża, drugim zaś realizacja procesu epitaksjalnego. Podłoże, czyli płytka starannie wykonana z półprzewodnikowego materiału monokrystalicznego, można bezpośrednio zastosować w procesie produkcji płytek jako......
Czytaj więcejMateriał krzemowy jest materiałem stałym o pewnych właściwościach elektrycznych półprzewodników i stabilności fizycznej, zapewniającym wsparcie podłoża dla późniejszego procesu produkcji układów scalonych. Jest kluczowym materiałem do układów scalonych na bazie krzemu. Ponad 95% urządzeń półprzewodn......
Czytaj więcejPodłoże z węglika krzemu jest złożonym półprzewodnikowym materiałem monokrystalicznym składającym się z dwóch pierwiastków, węgla i krzemu. Charakteryzuje się dużym pasmem wzbronionym, wysoką przewodnością cieplną, wysokim krytycznym natężeniem pola przebicia i wysokim współczynnikiem dryfu nasyceni......
Czytaj więcej