> Aktualności > Wiadomości branżowe

Wiadomości branżowe

Cięcie SiC

Węglik krzemu (SiC) jest bardzo preferowany w przemyśle półprzewodników ze względu na jego doskonałe właściwości fizyczne i chemiczne. Jednakże wysoka twardość i kruchość SiC stwarzają poważne wyzwania w jego przetwarzaniu.

Czytaj więcej

Przebieg procesu rdzenia podłoża z węglika krzemu

Podłoże z węglika krzemu jest złożonym półprzewodnikowym materiałem monokrystalicznym składającym się z dwóch pierwiastków, węgla i krzemu. Charakteryzuje się dużym pasmem wzbronionym, wysoką przewodnością cieplną, wysokim krytycznym natężeniem pola przebicia i wysokim współczynnikiem dryfu nasyceni......

Czytaj więcej

Krytyczna rola substratów SiC i wzrostu kryształów w przemyśle półprzewodników

W łańcuchu branżowym węglika krzemu (SiC) dostawcy substratów dysponują znaczną dźwignią, głównie ze względu na dystrybucję wartości. Podłoża SiC stanowią 47% całkowitej wartości, następnie warstwy epitaksjalne – 23%, a projektowanie i produkcja urządzeń stanowią pozostałe 30%. Ten odwrócony łańcuch......

Czytaj więcej

Zastosowanie SiC i GaN w pojazdach elektrycznych

Tranzystory MOSFET SiC to tranzystory oferujące dużą gęstość mocy, lepszą wydajność i niski wskaźnik awaryjności w wysokich temperaturach. Te zalety tranzystorów MOSFET SiC przynoszą liczne korzyści pojazdom elektrycznym (EV), w tym większy zasięg jazdy, szybsze ładowanie i potencjalnie tańsze pojaz......

Czytaj więcej

Półprzewodniki czwartej generacji tlenek galu/β-Ga2O3

Pierwszą generację materiałów półprzewodnikowych reprezentują głównie krzem (Si) i german (Ge), których popularność zaczęła się zwiększać w latach pięćdziesiątych XX wieku. Na początku dominował german i był stosowany głównie w tranzystorach i fotodetektorach niskiego napięcia, niskiej częstotliwośc......

Czytaj więcej

Wolny od defektów wzrost epitaksjalny i dyslokacje niedopasowania

Wzrost epitaksjalny wolny od defektów występuje, gdy jedna sieć krystaliczna ma prawie identyczne stałe sieciowe jak inna. Wzrost ma miejsce, gdy miejsca sieci dwóch sieci w obszarze styku są w przybliżeniu dopasowane, co jest możliwe przy niewielkim niedopasowaniu sieci (mniej niż 0,1%). To przybli......

Czytaj więcej

<...14 15 16 17 18...31 >