> Aktualności > Wiadomości branżowe

Wiadomości branżowe

Metoda wzrostu kryształów GaN

Przy produkcji wielkogabarytowych podłoży monokrystalicznych GaN, HVPE jest obecnie najlepszym wyborem do komercjalizacji. Jednakże stężenie nośnika tylnego w wyhodowanym GaN nie może być precyzyjnie kontrolowane.

Czytaj więcej

Pojedynczy kryształ GaN

Technologia półprzewodników stanowi podstawę współczesnej cywilizacji, zasadniczo zmieniając sposób, w jaki żyjemy, pracujemy i wchodzimy w interakcję ze światem. Umożliwiło bezprecedensowy postęp w różnych dziedzinach, w tym w technologiach informatycznych, energetyce, telekomunikacji i opiece zdro......

Czytaj więcej

Ceramika SiC: niezbędny materiał do produkcji precyzyjnych komponentów w produkcji półprzewodników

Produkcja półprzewodników, kamień węgielny współczesnego postępu technologicznego, nieustannie poszukuje mniejszych, szybszych i wydajniejszych układów scalonych. To nieustające dążenie napędza potrzebę stosowania coraz bardziej precyzyjnych i wyrafinowanych procesów produkcyjnych, w których każdy e......

Czytaj więcej

Co to jest stopień grafityzacji?

Stopień grafityzacji jest podstawową miarą stosowaną do oceny, jak blisko atomy węgla znajdują się od utworzenia ciasno upakowanej sześciokątnej struktury kryształu grafitu.

Czytaj więcej

Proces wzrostu cienkiej warstwy

Powszechnie stosowane cienkie folie dzielą się głównie na trzy kategorie: cienkie folie półprzewodnikowe, cienkie folie dielektryczne i cienkie folie metalowo-metalowe.

Czytaj więcej

Heteroepitaksja 3C-SiC: przegląd

Rozwój 3C-SiC, ważnego politypu węglika krzemu, odzwierciedla ciągły postęp nauki o materiałach półprzewodnikowych. W latach 80. Nishino i in. po raz pierwszy uzyskano warstwę 3C-SiC o grubości 4 μm na podłożu krzemowym za pomocą chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD)[1], kładąc podwaliny pod te......

Czytaj więcej

<...13 14 15 16 17...32 >