Nośnik wafli dla MOCVD

Semicorex Wafer Carrier dla MOCVD, stworzony dla precyzyjnych potrzeb metalicznego organicznego chemicznego osadzania z fazy gazowej (MOCVD), okazuje się niezbędnym narzędziem w przetwarzaniu monokryształu Si lub SiC na potrzeby układów scalonych o dużej skali. Waflowy nośnik do kompozycji MOCVD charakteryzuje się niezrównaną czystością, odpornością na podwyższone temperatury i środowiska korozyjne oraz doskonałymi właściwościami uszczelniającymi, aby utrzymać nieskazitelną atmosferę. W Semicorex zajmujemy się produkcją i dostarczaniem wysokowydajnych nośników płytek do MOCVD, które łączą jakość z opłacalnością.

Wyślij zapytanie

Opis produktu

Nośnik wafli Semicorex do zaawansowanej konstrukcji MOCVD do zastosowań MOCVD działa jak bezpieczna podstawa, fachowo zaprojektowana do mocowania płytek półprzewodnikowych. Oferuje zoptymalizowaną konstrukcję, która zapewnia mocny chwyt płytek, a także ułatwia optymalną dystrybucję gazów w celu uzyskania równomiernego ułożenia warstw materiału. Wzmocniony powłoką z węglika krzemu (SiC) metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD), nośnik wafla dla MOCVD łączy w sobie sprężystość grafitu z cechami CVD SiC polegającymi na wytrzymywaniu wysokich temperatur, posiadaniu znikomego współczynnika rozszerzalności cieplnej i promowaniu równomiernego rozpraszania ciepła. Ta równowaga ma kluczowe znaczenie dla zachowania integralności temperatury powierzchni płytek.

Dzięki takim właściwościom, jak hamowanie korozji, odporność chemiczna, a w konsekwencji wydłużona żywotność, nośnik wafli dla MOCVD znacznie podnosi zarówno kaliber, jak i wydajność płytek. Jego trwałość zapewnia bezpośrednią korzyść ekonomiczną, pozycjonując nośnik wafla dla MOCVD jako mądry wybór w zakresie zakupów dla operacji produkcyjnych półprzewodników.

Skrupulatnie dostosowany do procedur epitaksjalnych płytek, Semicorex Wafer Carrier for MOCVD doskonale sprawdza się w bezpiecznym transporcie płytek w piecach wysokotemperaturowych. Jego trwała konstrukcja gwarantuje, że płytki pozostaną nienaruszone, zmniejszając w ten sposób skłonność do uszkodzeń podczas krytycznych etapów wzrostu epitaksjalnego.**