Epitaksjalny wzrost płytek azotku galu (GaN) to złożony proces, często wykorzystujący metodę dwuetapową. Metoda ta obejmuje kilka krytycznych etapów, w tym wypalanie w wysokiej temperaturze, wzrost warstwy buforowej, rekrystalizację i wyżarzanie. Dzięki skrupulatnej kontroli temperatury na tych etap......
Czytaj więcejZarówno płytki epitaksjalne, jak i płytki rozproszone są niezbędnymi materiałami w produkcji półprzewodników, różnią się jednak znacznie procesami wytwarzania i docelowymi zastosowaniami. W tym artykule omówiono kluczowe różnice między tymi typami płytek.
Czytaj więcejPodłoże z węglika krzemu jest złożonym półprzewodnikowym materiałem monokrystalicznym składającym się z dwóch pierwiastków, węgla i krzemu. Charakteryzuje się dużym pasmem wzbronionym, wysoką przewodnością cieplną, wysokim krytycznym natężeniem pola przebicia i wysokim współczynnikiem dryfu nasyceni......
Czytaj więcejW łańcuchu branżowym węglika krzemu (SiC) dostawcy substratów dysponują znaczną dźwignią, głównie ze względu na dystrybucję wartości. Podłoża SiC stanowią 47% całkowitej wartości, następnie warstwy epitaksjalne – 23%, a projektowanie i produkcja urządzeń stanowią pozostałe 30%. Ten odwrócony łańcuch......
Czytaj więcejTranzystory MOSFET SiC to tranzystory oferujące dużą gęstość mocy, lepszą wydajność i niski wskaźnik awaryjności w wysokich temperaturach. Te zalety tranzystorów MOSFET SiC przynoszą liczne korzyści pojazdom elektrycznym (EV), w tym większy zasięg jazdy, szybsze ładowanie i potencjalnie tańsze pojaz......
Czytaj więcej