Pierwszą generację materiałów półprzewodnikowych reprezentują głównie krzem (Si) i german (Ge), których popularność zaczęła się zwiększać w latach pięćdziesiątych XX wieku. Na początku dominował german i był stosowany głównie w tranzystorach i fotodetektorach niskiego napięcia, niskiej częstotliwośc......
Czytaj więcejWzrost epitaksjalny wolny od defektów występuje, gdy jedna sieć krystaliczna ma prawie identyczne stałe sieciowe jak inna. Wzrost ma miejsce, gdy miejsca sieci dwóch sieci w obszarze styku są w przybliżeniu dopasowane, co jest możliwe przy niewielkim niedopasowaniu sieci (mniej niż 0,1%). To przybli......
Czytaj więcejNajbardziej podstawowym etapem wszystkich procesów jest proces utleniania. Proces utleniania polega na umieszczeniu płytki krzemowej w atmosferze utleniaczy, takich jak tlen lub para wodna, w celu obróbki cieplnej w wysokiej temperaturze (800 ~ 1200 ℃), po czym na powierzchni płytki krzemowej zachod......
Czytaj więcejWzrost epitaksji GaN na podłożu GaN stanowi wyjątkowe wyzwanie, pomimo doskonałych właściwości materiału w porównaniu z krzemem. Epitaksja GaN oferuje znaczące korzyści pod względem szerokości pasma wzbronionego, przewodności cieplnej i przebicia pola elektrycznego w porównaniu z materiałami na bazi......
Czytaj więcej