Półprzewodnikowa łódź waflowa

Semicorex oferuje łodzie waflowe, cokoły i niestandardowe nośniki płytek w konfiguracjach pionowych/kolumnowych i poziomych. Od wielu lat jesteśmy producentem i dostawcą folii z węglika krzemu. Nasza półprzewodnikowa łódź waflowa ma dobrą przewagę cenową i obejmuje większość rynków europejskich i amerykańskich. Z niecierpliwością czekamy na zostanie Twoim długoterminowym partnerem w Chinach.

Wyślij zapytanie

Opis produktu

Semicorex Semiconductor Wafer Boat wykonany jest ze spiekanego węglika krzemu, który charakteryzuje się dobrą odpornością na korozję oraz doskonałą odpornością na wysokie temperatury i szok termiczny. Zaawansowana ceramika zapewnia doskonałą odporność termiczną i trwałość plazmy, jednocześnie łagodząc cząstki i zanieczyszczenia, tworząc nośniki płytek o dużej pojemności.
W Semicorex koncentrujemy się na dostarczaniu wysokiej jakości, opłacalnych łodzi półprzewodnikowych, priorytetowo traktujemy satysfakcję klienta i zapewniamy opłacalne rozwiązania. Z niecierpliwością czekamy na to, aby zostać Twoim długoterminowym partnerem, dostarczającym produkty wysokiej jakości i wyjątkową obsługę klienta.
Skontaktuj się z nami już dziś, aby dowiedzieć się więcej o naszej łodzi waflowej półprzewodnikowej.

Parametry łodzi waflowej półprzewodnikowej

Właściwości techniczne
Indeks	Jednostka	Wartość
Nazwa materiału		Reakcyjny spiekany węglik krzemu	Bezciśnieniowy spiekany węglik krzemu	Rekrystalizowany węglik krzemu
Kompozycja		RBSiC	SSiC	R-SiC
Gęstość nasypowa	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Wytrzymałość na zginanie	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100 (1400°C)
Wytrzymałość na ściskanie	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Twardość	Przycisk	2700	2800	/
Przełamanie wytrzymałości	MPa m1/2	4.5	4	/
Przewodność cieplna	W/m.k	95	120	23
Współczynnik rozszerzalności cieplnej	10^-60,1/°C	5	4	4.7
Ciepło właściwe	Dżul/g 0k	0.8	0.67	/
Maksymalna temperatura powietrza	℃	1200	1500	1600
Moduł sprężystości	GP	360	410	240

Różnica między SSiC i RBSiC:

1. Proces spiekania jest inny. RBSiC polega na infiltracji wolnego Si do węglika krzemu w niskiej temperaturze, SSiC powstaje w wyniku naturalnego skurczu w temperaturze 2100 stopni.

2. SSiC ma gładszą powierzchnię, większą gęstość i większą wytrzymałość. W przypadku niektórych uszczelnień o bardziej rygorystycznych wymaganiach dotyczących powierzchni lepszy będzie SSiC.

3. Różny czas użytkowania przy różnym PH i temperaturze, SSiC jest dłuższy niż RBSiC

Cechy półprzewodnikowej łodzi waflowej

Doskonała odporność na ciepło i jednorodność termiczna
Drobna powłoka kryształowa SiC zapewniająca gładką powierzchnię
Wysoka odporność na czyszczenie chemiczne
Materiał został tak zaprojektowany, aby nie dochodziło do pęknięć i rozwarstwień.