Łódź dyfuzyjna SiC

Dzięki wysokiej jakości właściwościom materiału, łódź dyfuzyjna Semicorex SiC zapewnia optymalną funkcjonalność w szerokim spektrum parametrów operacyjnych: twardość, sprężystość oraz odporność termiczna i chemiczna itp. Ten wybór materiału ma kluczowe znaczenie dla zmniejszenia ryzyka zanieczyszczenia, ochrony płytek i trwałości wymagające warunki występujące w procesach produkcji półprzewodników. W Semicorex specjalizujemy się w produkcji i dostarczaniu wysokowydajnych łodzi dyfuzyjnych SiC, które łączą jakość z opłacalnością.**

Wyślij zapytanie

Opis produktu

Oto szczegółowe spojrzenie na zalety łodzi dyfuzyjnej SiC:

Stabilność strukturalna i odporność termiczna: Semicorex SiC Diffusion Boat oferuje wyjątkową stabilność termiczną i integralność wymiarową w wysokich temperaturach, co czyni je bardzo korzystnymi do stosowania w zastosowaniach związanych z obróbką wysokotemperaturową i obróbką cieplną.

Doskonała odporność na korozję: Łódź dyfuzyjna SiC wykazuje wyjątkową odporność na korozję, zapewniając długotrwałą wydajność w trudnych warunkach chemicznych i środowiskowych.

Materiał o wysokiej czystości: Łódź dyfuzyjna SiC jest wykonana z matrycy o wysokiej czystości i folii z węglika krzemu, skutecznie zapobiegając wprowadzaniu zanieczyszczeń i zmniejszając zanieczyszczenie w procesie produkcyjnym. Ta wysoka czystość znacząco przyczynia się do poprawy jakości produktu.

Niska gęstość: Łódź dyfuzyjna SiC ma stosunkowo niską gęstość w porównaniu do wielu innych materiałów, dzięki czemu są lekkie i łatwe w obsłudze podczas przenoszenia i przetwarzania.

Wszechstronne zastosowanie: Łódź dyfuzyjna SiC doskonale nadaje się do krytycznych elementów nośnych w sprzęcie fotowoltaicznym i półprzewodnikowym, szczególnie w procesach przenoszenia płytek.

Zastosowanie w pionowych piecach półprzewodnikowych: Semicorex SiC Diffusion Boat jest stosowany głównie w pionowych piecach półprzewodnikowych w procesach utleniania i wyżarzania w wysokiej temperaturze. Ta aplikacja podkreśla ich kluczową rolę w ułatwianiu tych specyficznych procedur produkcji półprzewodników.