Efektor końcowy SiC

Semicorex jest producentem i dostawcą grafitu powlekanego węglikiem krzemu na dużą skalę w Chinach. Koncentrujemy się na branżach półprzewodników, takich jak warstwy węglika krzemu i półprzewodniki epitaksyjne. Nasz efektor końcowy SiC ma dobrą przewagę cenową i obejmuje wiele rynków europejskich i amerykańskich. Z niecierpliwością czekamy na zostanie Twoim długoterminowym partnerem w Chinach.

Wyślij zapytanie

Opis produktu

Semicorex SiC End Effector wykonany jest z grafitu z powłoką z węglika krzemu (SiC), powłoka jest nakładana metodą CVD na określone gatunki grafitu o dużej gęstości, dzięki czemu może pracować w piecu wysokotemperaturowym o temperaturze ponad 3000 ° C w obojętnej atmosferze, 2200°C w próżni.

Nasz efektor końcowy SiC został zaprojektowany w celu uzyskania najlepszego laminarnego przepływu gazu, zapewniając równomierność profilu termicznego. Pomaga to zapobiegać zanieczyszczeniom lub dyfuzji zanieczyszczeń, zapewniając wysokiej jakości wzrost epitaksjalny na chipie waflowym.

Skontaktuj się z nami już dziś, aby dowiedzieć się więcej o naszym efektorze końcowym SiC.

Parametry efektora końcowego SiC

Główne specyfikacje powłoki CVD-SIC
Właściwości SiC-CVD
Struktura kryształu	Faza β FCC
Gęstość	g/cm³	3.21
Twardość	Twardość Vickersa	2500
Rozmiar ziarna	µm	2 ~ 10
Czystość chemiczna	%	99.99995
Pojemność cieplna	J kg-1 K-1	640
Temperatura sublimacji	℃	2700
Siła Felexuralna	MPa (RT 4-punktowy)	415
Moduł Younga	Gpa (4-punktowe zagięcie, 1300℃)	430
Rozszerzalność cieplna (CTE)	10-6K-1	4.5
Przewodność cieplna	(W/mK)	300