Silikonowe susceptory epitaksji

Możesz mieć pewność, że kupisz silikonowe susceptory epitaksji z naszej fabryki. Silicon Epitaxy Susceptor firmy Semicorex to wysokiej jakości produkt o wysokiej czystości stosowany w przemyśle półprzewodników do epitaksjalnego wzrostu chipów waflowych. Nasz produkt posiada doskonałą technologię powlekania, która zapewnia, że powłoka jest obecna na wszystkich powierzchniach, zapobiegając złuszczaniu się. Produkt jest stabilny w wysokich temperaturach do 1600°C, dzięki czemu nadaje się do stosowania w ekstremalnych warunkach.

Wyślij zapytanie

Opis produktu

Nasze krzemowe susceptory epitaksyjne są wytwarzane metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej CVD w warunkach chlorowania w wysokiej temperaturze, co zapewnia wysoką czystość. Powierzchnia produktu jest gęsta, z drobnymi cząsteczkami i dużą twardością, dzięki czemu jest odporna na korozję na działanie kwasów, zasad, soli i odczynników organicznych.
Nasz produkt został zaprojektowany w celu uzyskania najlepszego laminarnego przepływu gazu, gwarantując równomierność profilu termicznego. Nasze krzemowe susceptory epitaksyjne zapobiegają jakimkolwiek zanieczyszczeniom lub dyfuzji zanieczyszczeń podczas procesu wzrostu epitaksjalnego, zapewniając wysoką jakość wyników.
W Semicorex koncentrujemy się na dostarczaniu naszym klientom opłacalnych produktów wysokiej jakości. Nasze krzemowe susceptory epitaksyjne mają przewagę cenową i są eksportowane na wiele rynków europejskich i amerykańskich. Naszym celem jest bycie Twoim długoterminowym partnerem, dostarczającym produkty o stałej jakości i wyjątkową obsługę klienta.

Parametry krzemowych susceptorów epitaksji

Główne specyfikacje powłoki CVD-SIC
Właściwości SiC-CVD
Struktura kryształu	Faza β FCC
Gęstość	g/cm³	3.21
Twardość	Twardość Vickersa	2500
Rozmiar ziarna	µm	2 ~ 10
Czystość chemiczna	%	99.99995
Pojemność cieplna	J kg-1 K-1	640
Temperatura sublimacji	℃	2700
Siła Felexuralna	MPa (RT 4-punktowy)	415
Moduł Younga	Gpa (4-punktowe zagięcie, 1300℃)	430
Rozszerzalność cieplna (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Przewodność cieplna	(W/mK)	300

Parametry krzemowych susceptorów epitaksji

- Unikać odklejania się i zapewnić pokrycie całej powierzchni
Odporność na utlenianie w wysokiej temperaturze: Stabilny w wysokich temperaturach do 1600°C
Wysoka czystość: uzyskana przez chemiczne osadzanie z fazy gazowej CVD w warunkach chlorowania w wysokiej temperaturze.
Odporność na korozję: wysoka twardość, gęsta powierzchnia i drobne cząstki.
Odporność na korozję: kwasy, zasady, sól i odczynniki organiczne.
- Uzyskaj najlepszy laminarny przepływ gazu
- Gwarancja równomierności profilu termicznego
- Zapobiegać wszelkim zanieczyszczeniom lub rozprzestrzenianiu się zanieczyszczeń